Kollektorstrom mit Frühspannung für NPN-Transistor Taschenrechner

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [I_sat]			+10% -10%
✖Die Basis-Kollektor-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorbereich eines Transistors.ⓘ Basis-Kollektor-Spannung [V_BC]			+10% -10%
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%
✖Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.ⓘ Kollektor-Emitter-Spannung [V_CE]			+10% -10%
✖Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.ⓘ Versorgungsspannung [V_DD]			+10% -10%

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom mit Frühspannung für NPN-Transistor [I_c]

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Formel

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Kollektorstrom mit Frühspannung für NPN-Transistor

Formel

`"I"_{"c"} = "I"_{"sat"}*e^("V"_{"BC"}/"V"_{"t"})*(1+"V"_{"CE"}/"V"_{"DD"})`

Beispiel

`"5.793345mA"="1.675mA"*e^("2V"/"4.7V")*(1+"3.15V"/"2.5V")`

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Kollektorstrom mit Frühspannung für NPN-Transistor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)
I_c = I_sat*e^(V_BC/V_t)*(1+V_CE/V_DD)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Basis-Kollektor-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Kollektor-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorbereich eines Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.
Kollektor-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basis-Kollektor-Spannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kollektor-Emitter-Spannung: 3.15 Volt --> 3.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Versorgungsspannung: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_c = I_sat*e^(V_BC/V_t)*(1+V_CE/V_DD) --> 0.001675*e^(2/4.7)*(1+3.15/2.5)

Auswerten ... ...

I_c = 0.00579334528085417

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00579334528085417 Ampere -->5.79334528085417 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.79334528085417 ≈ 5.793345 Milliampere <-- Kollektorstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 Kollektorstrom Taschenrechner

Kollektorstrom bei Sättigungsstrom aufgrund von Gleichspannung

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)-Sättigungsstrom für DC*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)

Kollektorstrom mit Frühspannung für NPN-Transistor

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)

Kollektorstrom gegeben Frühspannung für PNP-Transistor

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)

Kollektorstrom mit Sättigungsstrom

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung*[Charge-e]/([BoltZ]*300))

Kollektorstrom mit Leckstrom

Gehen Kollektorstrom = (Basisstrom*Gemeinsame Emitterstromverstärkung)+Kollektor-Emitter-Leckstrom

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))

Kollektorstrom des PNP-Transistors bei Emitterstromverstärkung

Gehen Kollektorstrom = Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung*Basisstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Kollektorstrom mit Frühspannung für NPN-Transistor Formel

Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)
I_c = I_sat*e^(V_BC/V_t)*(1+V_CE/V_DD)

Was ist ein NPN-Transistor?

NPN-Transistoren sind dreischichtige Geräte mit drei Anschlüssen, die entweder als Verstärker oder als elektronische Schalter fungieren können. Der Standard-Bipolartransistor oder BJT gibt es in zwei Grundformen. Ein NPN-Typ (Negativ-Positiv-Negativ) und ein PNP-Typ (Positiv-Negativ-Positiv).

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