Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source
Id = k'p*WL*(modulus(Vov)-1/2*VDS)*VDS
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen
Verwendete Funktionen
modulus - Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число., modulus
Verwendete Variablen
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Der Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Effektivspannung ist die äquivalente Gleichspannung, die bei einer ohmschen Last die gleiche Verlustleistung erzeugen würde wie die gemessene Wechselspannung.
Spannung zwischen Drain und Source - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Drain und Source ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb eines Feldeffekttransistors (FET) und wird oft als „Drain-Source-Spannung“ oder VDS bezeichnet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenverhältnis: 6 --> Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 2.16 Volt --> 2.16 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Drain und Source: 2.45 Volt --> 2.45 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Id = k'p*WL*(modulus(Vov)-1/2*VDS)*VDS --> 0.0021*6*(modulus(2.16)-1/2*2.45)*2.45
Auswerten ... ...
Id = 0.02886345
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.02886345 Ampere -->28.86345 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
28.86345 Milliampere <-- Stromverbrauch
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

14 P-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors
Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2*(1+Spannung zwischen Drain und Source/modulus(Frühe Spannung))
Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors
Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*((Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))*Spannung zwischen Drain und Source-1/2*(Spannung zwischen Drain und Source)^2)
Körpereffekt in PMOS
Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))
Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd
Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source
Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors
Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung))^2
Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten
Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal)
Backgate-Effektparameter in PMOS
Gehen Backgate-Effekt-Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Spenderkonzentration)/Oxidkapazität
Ladung der Inversionsschicht bei Pinch-Off-Bedingung in PMOS
Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung-Spannung zwischen Drain und Source)
Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov
Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung)^2
Strom im Inversionskanal von PMOS
Gehen Stromverbrauch = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion)
Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität
Gehen Driftgeschwindigkeit der Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal
Ladung der Inversionsschicht in PMOS
Gehen Ladung der Inversionsschicht = -Oxidkapazität*(Spannung zwischen Gate und Source-Grenzspannung)
Übersteuerungsspannung von PMOS
Gehen Effektive Spannung = Spannung zwischen Gate und Source-modulus(Grenzspannung)
Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS
Gehen Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Oxidkapazität

Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel

Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(modulus(Effektive Spannung)-1/2*Spannung zwischen Drain und Source)*Spannung zwischen Drain und Source
Id = k'p*WL*(modulus(Vov)-1/2*VDS)*VDS

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung der logarithmischen (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als die Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in logischen Anwendungen.

Wie fließt Strom in einem PMOS?

In einem NMOS sind Elektronen die Ladungsträger. Elektronen wandern also von Source zu Drain (was bedeutet, dass der Strom von Drain> Source fließt). In einem PMOS sind Löcher die Ladungsträger. Die Löcher wandern also von der Quelle zum Abfluss.

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