Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration Taschenrechner

✖Die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs ist die Breite in der Richtung senkrecht zur Seite.ⓘ Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs [A_E]			+10% -10%
✖Elektronendiffusion ist der Diffusionsstrom ist ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.ⓘ Elektronendiffusivität [D_n]			+10% -10%
✖Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist als die Konzentration von Trägern in einem Verstärker definiert.ⓘ Thermische Gleichgewichtskonzentration [n_po]			+10% -10%
✖Die Breite des Basisübergangs ist der Parameter, der angibt, wie breit der Basisübergang eines beliebigen analogen Elektronikelements ist.ⓘ Breite der Basisverbindung [W_base]			+10% -10%

✖Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration [I_e]

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Formel

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Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration

Formel

`"I"_{"e"} = "A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*(-"n"_{"po"}/"W"_{"base"})`

Beispiel

`"-0.005127mA"="8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*(-"1e18/m³"/"0.002m")`

Taschenrechner

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Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitterstrom = Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(-Thermische Gleichgewichtskonzentration/Breite der Basisverbindung)
I_e = A_E*[Charge-e]*D_n*(-n_po/W_base)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs ist die Breite in der Richtung senkrecht zur Seite.
Elektronendiffusivität - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Elektronendiffusion ist der Diffusionsstrom ist ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.
Thermische Gleichgewichtskonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist als die Konzentration von Trägern in einem Verstärker definiert.
Breite der Basisverbindung - (Gemessen in Meter) - Die Breite des Basisübergangs ist der Parameter, der angibt, wie breit der Basisübergang eines beliebigen analogen Elektronikelements ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs: 8 Quadratischer Zentimeter --> 0.0008 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronendiffusivität: 0.8 Quadratzentimeter pro Sekunde --> 8E-05 Quadratmeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Thermische Gleichgewichtskonzentration: 1E+18 1 pro Kubikmeter --> 1E+18 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Breite der Basisverbindung: 0.002 Meter --> 0.002 Meter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_e = A_E*[Charge-e]*D_n*(-n_po/W_base) --> 0.0008*[Charge-e]*8E-05*(-1E+18/0.002)

Auswerten ... ...

I_e = -5.126965184E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-5.126965184E-06 Ampere -->-0.005126965184 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-0.005126965184 ≈ -0.005127 Milliampere <-- Emitterstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 Emitterstrom Taschenrechner

Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration

Gehen Emitterstrom = Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(-Thermische Gleichgewichtskonzentration/Breite der Basisverbindung)

Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung

Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom bei Sättigungsstrom

Gehen Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom mit Transistorkonstante

Gehen Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom mit Kollektorstrom und Stromverstärkung

Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Kollektorstrom

Emitterstrom bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom/Stromverbrauch

Emitterstrom bei gegebenem Basisstrom

Gehen Emitterstrom = (Stromverbrauch+1)*Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom