Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Taschenrechner

✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Der Sättigungsstrom für Gleichstrom ist die Leckstromdichte des Transistors in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der einen Transistor von einem anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom für Gleichstrom [I_sc]			+10% -10%
✖Der Sättigungsstrom in einem MOSFET ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es vollständig eingeschaltet ist oder sich im Sättigungsmodus befindet.ⓘ Sättigungsstrom [I_s]			+10% -10%

✖Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.ⓘ Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom [V_os]

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Formel

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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Formel

`"V"_{"os"} = "V"_{"t"}*("I"_{"sc"}/"I"_{"s"})`

Beispiel

`"3.561644V"="19.5V"*("0.8mA"/"4.38mA")`

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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingangs-Offsetspannung = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)
V_os = V_t*(I_sc/I_s)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Eingangs-Offsetspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Sättigungsstrom für Gleichstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom für Gleichstrom ist die Leckstromdichte des Transistors in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der einen Transistor von einem anderen unterscheidet.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom in einem MOSFET ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es vollständig eingeschaltet ist oder sich im Sättigungsmodus befindet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grenzspannung: 19.5 Volt --> 19.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Sättigungsstrom für Gleichstrom: 0.8 Milliampere --> 0.0008 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Sättigungsstrom: 4.38 Milliampere --> 0.00438 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_os = V_t*(I_sc/I_s) --> 19.5*(0.0008/0.00438)

Auswerten ... ...

V_os = 3.56164383561644

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.56164383561644 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.56164383561644 ≈ 3.561644 Volt <-- Eingangs-Offsetspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 Differentialkonfiguration Taschenrechner

Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker

Gehen Differenzgewinn = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung))))

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2)

Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Effektive Spannung+Spannung zwischen Gate und Source-Lastspannung

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

Gehen Eingangs-Offsetspannung = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1)

Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Lastspannung-(1/2*Lastwiderstand)

Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Eingangsspannung = Gleichtakt-Gleichspannung+(1/2*Differenzielles Eingangssignal)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Ausgangs-DC-Offsetspannung/Differenzgewinn

Transkonduktanz eines MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Transkonduktanz = Gesamtstrom/Effektive Spannung

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel

Eingangs-Offsetspannung = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)
V_os = V_t*(I_sc/I_s)

Warum ist die Eingangsoffsetspannung wichtig?

Bei Verwendung in Verstärkern von Sensoren usw. führt die Eingangsoffsetspannung des Operationsverstärkers zu einem Fehler der Sensorerkennungsempfindlichkeit. Um Erfassungsfehler unter einem bestimmten Toleranzniveau zu halten, muss ein Operationsverstärker mit niedriger Eingangsoffsetspannung ausgewählt werden.

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