Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
Vth = Vgs-Veff
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Auswerten ... ...
Vth = 2.3
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
2.3 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.3 Volt <-- Grenzspannung
(Berechnung in 00.019 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Prahalad Singh
Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

20 Stromspannung Taschenrechner

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung
Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung
Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Kritische Spannung)*((Lastwiderstand*Torwiderstand)/(Torwiderstand+Lastwiderstand))
Eingangsspannung der Quelle
Gehen Eingangsspannung der Quelle = Eingangsspannung*(Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))
Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung
Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis))
Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))
Eingangs-Gate-Source-Spannung
Gehen Kritische Spannung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand)) *Eingangsspannung
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom
Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET
Gehen Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert
Gehen Steilheit = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand))
Inkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers
Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)
Spannung am Drain Q1 des MOSFET
Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
Spannung am Drain Q2 im MOSFET
Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
Sättigungsspannung des MOSFET
Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung
Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung
Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+1.4*Effektive Spannung
Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert
Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
Schwellenspannung des MOSFET
Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET
Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET
Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)
Overdrive-Spannung
Gehen Overdrive-Spannung = (2*Stromverbrauch)/Steilheit

Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert Formel

Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung
Vth = Vgs-Veff

Wie wirkt der MOSFET als Verstärker?

Eine kleine Änderung der Gate-Spannung erzeugt eine große Änderung des Drain-Stroms wie beim JFET. Diese Tatsache macht den MOSFET in der Lage, die Stärke eines schwachen Signals zu erhöhen; somit als Verstärker wirkend. Während der positiven Halbwelle des Signals steigt die positive Spannung am Gate an und erzeugt den Verbesserungsmodus.

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