Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Taschenrechner

✖Die Änderung des Kollektorwiderstands ist die Zunahme oder Abnahme des Widerstands, der durch den Kollektorbereich verläuft.ⓘ Änderung des Kollektorwiderstands [ΔR_c]			+10% -10%
✖Der Kollektorwiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss im Kollektor des Transistors.ⓘ Sammlerwiderstand [R_c]			+10% -10%
✖Der Sättigungsstrom für Gleichstrom ist die Leckstromdichte des Transistors in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der einen Transistor von einem anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom für Gleichstrom [I_sc]			+10% -10%
✖Der Sättigungsstrom in einem MOSFET ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es vollständig eingeschaltet ist oder sich im Sättigungsmodus befindet.ⓘ Sättigungsstrom [I_s]			+10% -10%

✖Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.ⓘ Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom [V_os]

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Formel

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Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Formel

`"V"_{"os"} = sqrt(("ΔR"_{"c"}/"R"_{"c"})^2+("I"_{"sc"}/"I"_{"s"})^2)`

Beispiel

`"3.543926V"=sqrt(("1.805kΩ"/"0.51kΩ")^2+("0.8mA"/"4.38mA")^2)`

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Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingangs-Offsetspannung = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2)
V_os = sqrt((ΔR_c/R_c)^2+(I_sc/I_s)^2)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Eingangs-Offsetspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.
Änderung des Kollektorwiderstands - (Gemessen in Ohm) - Die Änderung des Kollektorwiderstands ist die Zunahme oder Abnahme des Widerstands, der durch den Kollektorbereich verläuft.
Sammlerwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Kollektorwiderstand ist der Widerstand gegen den Stromfluss im Kollektor des Transistors.
Sättigungsstrom für Gleichstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom für Gleichstrom ist die Leckstromdichte des Transistors in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der einen Transistor von einem anderen unterscheidet.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom in einem MOSFET ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es vollständig eingeschaltet ist oder sich im Sättigungsmodus befindet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Änderung des Kollektorwiderstands: 1.805 Kiloohm --> 1805 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Sammlerwiderstand: 0.51 Kiloohm --> 510 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Sättigungsstrom für Gleichstrom: 0.8 Milliampere --> 0.0008 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Sättigungsstrom: 4.38 Milliampere --> 0.00438 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_os = sqrt((ΔR_c/R_c)^2+(I_sc/I_s)^2) --> sqrt((1805/510)^2+(0.0008/0.00438)^2)

Auswerten ... ...

V_os = 3.54392552301277

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.54392552301277 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.54392552301277 ≈ 3.543926 Volt <-- Eingangs-Offsetspannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 Differentialkonfiguration Taschenrechner

Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker

Gehen Differenzgewinn = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung))))

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2)

Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Effektive Spannung+Spannung zwischen Gate und Source-Lastspannung

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

Gehen Eingangs-Offsetspannung = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1)

Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Lastspannung-(1/2*Lastwiderstand)

Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Eingangsspannung = Gleichtakt-Gleichspannung+(1/2*Differenzielles Eingangssignal)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Ausgangs-DC-Offsetspannung/Differenzgewinn

Transkonduktanz eines MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Transkonduktanz = Gesamtstrom/Effektive Spannung

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom Formel

Eingangs-Offsetspannung = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2)
V_os = sqrt((ΔR_c/R_c)^2+(I_sc/I_s)^2)

Warum ist die Eingangsoffsetspannung wichtig?

Bei Verwendung in Verstärkern von Sensoren usw. führt die Eingangsoffsetspannung des Operationsverstärkers zu einem Fehler der Sensorerkennungsempfindlichkeit. Um Erfassungsfehler unter einem bestimmten Toleranzniveau zu halten, muss ein Operationsverstärker mit niedriger Eingangsoffsetspannung ausgewählt werden.

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