Transkonduktanz im Sättigungsbereich Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))
gm = Go*(1-sqrt((Vi-Vg)/Vp))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.
Ausgangsleitfähigkeit - (Gemessen in Siemens) - Die Ausgangsleitfähigkeit stellt die Kleinsignal-Drain-Source-Leitfähigkeit des MOSFET dar, wenn die Gate-Source-Spannung konstant gehalten wird.
Schottky-Diodenpotentialbarriere - (Gemessen in Volt) - Die Schottky-Diode-Potenzialbarriere ist die Energiebarriere, die an der Grenzfläche zwischen einem Metall und einem Halbleitermaterial in einer Schottky-Diode besteht.
Gate-Spannung - (Gemessen in Volt) - Unter Gate-Spannung versteht man die Spannung, die an den Steueranschluss eines MESFET angelegt wird, um dessen Leitfähigkeit zu regulieren. Die Gate-Spannung bestimmt die Anzahl der freien Ladungsträger im Kanal.
Spannung abklemmen - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-Off-Spannung ist die Gate-Spannung, bei der der Kanal vollständig abgeschnürt wird, und ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb von FETs. Es ist ein wichtiger Parameter beim Schaltungsdesign.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Ausgangsleitfähigkeit: 0.174 Siemens --> 0.174 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Schottky-Diodenpotentialbarriere: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Spannung: 9.62 Volt --> 9.62 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung abklemmen: 12.56 Volt --> 12.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
gm = Go*(1-sqrt((Vi-Vg)/Vp)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))
Auswerten ... ...
gm = 0.0509634200735407
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0509634200735407 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0509634200735407 0.050963 Siemens <-- Transkonduktanz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Sonu Kumar Keshri
Nationales Institut für Technologie, Patna (NITP), Patna
Sonu Kumar Keshri hat diesen Rechner und 5 weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

13 MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Grenzfrequenz unter Verwendung der Maximalfrequenz
Gehen Grenzfrequenz = (2*Maximale Schwingungsfrequenz)/(sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)))
Gate-Metallisierungswiderstand
Gehen Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)
Eingangswiderstand
Gehen Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)
Quellenwiderstand
Gehen Quellenwiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)
Drain-Widerstand des MESFET
Gehen Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)
Transkonduktanz im Sättigungsbereich
Gehen Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))
Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET
Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)
Maximale Schwingungsfrequenz bei gegebener Transkonduktanz
Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Transkonduktanz/(pi*Gate-Source-Kapazität)
Grenzfrequenz
Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)
Gate-Länge des MESFET
Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)
Grenzfrequenz bei gegebener Transkonduktanz und Kapazität
Gehen Grenzfrequenz = Transkonduktanz/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)
Gate-Source-Kapazität
Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)
Transkonduktanz im MESFET
Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Transkonduktanz im Sättigungsbereich Formel

Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))
gm = Go*(1-sqrt((Vi-Vg)/Vp))
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