Calculadora Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

✖La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.ⓘ Movilidad del electrón [μ_e]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es la capacitancia del capacitor de placas paralelas por unidad de área de compuerta.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.ⓘ Ancho del canal [W_c]			+10% -10%
✖La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.ⓘ Voltaje a través del óxido [V_ox]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El voltaje de saturación entre el drenaje y la fuente en un transistor es un voltaje del colector y el emisor requerido para la saturación.ⓘ Voltaje de saturación entre drenaje y fuente [V_ds]			+10% -10%

✖La corriente de salida es la corriente que el amplificador extrae de la fuente de señal.ⓘ Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido [i_o]

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Fórmula

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Fórmula

`"i"_{"o"} = ("μ"_{"e"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"}))*"V"_{"ds"}`

Ejemplo

`"14.63474mA"=("0.012m²/V*s"*"0.001F/m²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("3.775V"-"2V"))*"220V"`

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Esta fórmula usa 8 Variables

Variables utilizadas

Corriente de salida - (Medido en Amperio) - La corriente de salida es la corriente que el amplificador extrae de la fuente de señal.
Movilidad del electrón - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.
Capacitancia de óxido - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de óxido es la capacitancia del capacitor de placas paralelas por unidad de área de compuerta.
Ancho del canal - (Medido en Metro) - El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.
Voltaje a través del óxido - (Medido en Voltio) - El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje de saturación entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de saturación entre el drenaje y la fuente en un transistor es un voltaje del colector y el emisor requerido para la saturación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad del electrón: 0.012 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 0.012 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 0.001 Farad por metro cuadrado --> 0.001 Farad por metro cuadrado No se requiere conversión
Ancho del canal: 10.15 Micrómetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del canal: 3.25 Micrómetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Voltaje a través del óxido: 3.775 Voltio --> 3.775 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de saturación entre drenaje y fuente: 220 Voltio --> 220 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

Evaluar ... ...

i_o = 0.0146347384615385

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0146347384615385 Amperio -->14.6347384615385 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

14.6347384615385 ≈ 14.63474 Miliamperio <-- Corriente de salida

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 18 Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

Vamos Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))

Voltaje de entrada Voltaje de señal dado

Vamos Voltaje del componente fundamental = (Resistencia de entrada finita/(Resistencia de entrada finita+Resistencia de la señal))*Pequeño voltaje de señal

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Parámetro de transconductancia del transistor MOS

Vamos Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)

Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente

Drenar la corriente del transistor

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje del componente fundamental+Voltaje total de drenaje instantáneo)/Resistencia al drenaje

Voltaje de drenaje instantáneo total

Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Transconductancia de amplificadores de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = (2*Corriente de drenaje)/(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)

Señal de corriente en el emisor dada la señal de entrada

Vamos Corriente de señal en el emisor = Voltaje del componente fundamental/Resistencia del emisor

Resistencia de entrada del amplificador de colector común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje del componente fundamental/Corriente base

Entrada de amplificador de amplificador de transistores

Vamos Entrada del amplificador = Resistencia de entrada*Corriente de entrada

Resistencia de salida del circuito de puerta común dada la tensión de prueba

Vamos Resistencia de salida finita = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral

Corriente de prueba del amplificador de transistores

Vamos Corriente de prueba = Voltaje de prueba/Resistencia de entrada

Resistencia de entrada del circuito de puerta común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Ganancia de corriente CC del amplificador

Vamos DC ganancia de corriente = Colector actual/Corriente base

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido Fórmula

Explique el funcionamiento del transistor NMOS.

Un transistor NMOS con el voltaje a través de la fuente de gas> voltaje umbral y con un pequeño voltaje entre el drenaje y la fuente aplicada. El dispositivo actúa como una resistencia cuyo valor está determinado por el voltaje en la fuente de gas. Específicamente, la conductancia del canal es proporcional al voltaje a través de la fuente de gas - voltaje umbral, y por lo tanto Id es proporcional al voltaje (voltaje a través de la fuente de gas - voltaje umbral) entre el drenaje y la fuente.

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