Calculadora Corriente de drenaje en la línea de carga

✖El voltaje de suministro es el nivel de voltaje suministrado a un dispositivo electrónico y es un parámetro crítico que afecta el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.ⓘ Voltaje de suministro [V_dd]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage es un término eléctrico utilizado en electrónica y específicamente en transistores de efecto de campo. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales de drenaje y fuente del FET.ⓘ Voltaje de la fuente de drenaje [V_ds]			+10% -10%
✖La resistencia de carga es la resistencia externa conectada entre el terminal de drenaje del MOSFET y el voltaje de la fuente de alimentación.ⓘ Resistencia de carga [R_L]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.ⓘ Corriente de drenaje en la línea de carga [i_d]

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Fórmula

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Corriente de drenaje en la línea de carga

Fórmula

`"i"_{"d"} = ("V"_{"dd"}-"V"_{"ds"})/"R"_{"L"}`

Ejemplo

`"0.071429mA"=("8.45V"-"8.43V")/"0.28kΩ"`

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Corriente de drenaje en la línea de carga Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = (Voltaje de suministro-Voltaje de la fuente de drenaje)/Resistencia de carga
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.
Voltaje de suministro - (Medido en Voltio) - El voltaje de suministro es el nivel de voltaje suministrado a un dispositivo electrónico y es un parámetro crítico que afecta el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.
Voltaje de la fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - Drain Source Voltage es un término eléctrico utilizado en electrónica y específicamente en transistores de efecto de campo. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales de drenaje y fuente del FET.
Resistencia de carga - (Medido en Ohm) - La resistencia de carga es la resistencia externa conectada entre el terminal de drenaje del MOSFET y el voltaje de la fuente de alimentación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de suministro: 8.45 Voltio --> 8.45 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de la fuente de drenaje: 8.43 Voltio --> 8.43 Voltio No se requiere conversión
Resistencia de carga: 0.28 kilohmios --> 280 Ohm (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_d = (V_dd-V_ds)/R_L --> (8.45-8.43)/280

Evaluar ... ...

i_d = 7.14285714285699E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

7.14285714285699E-05 Amperio -->0.0714285714285699 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0714285714285699 ≈ 0.071429 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 12 Actual Calculadoras

Segunda corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

Vamos Corriente de drenaje 2 = Corriente de polarización de CC/2-Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2*sqrt(1-(Señal de entrada diferencial)^2/(4*Voltaje de sobremarcha^2))

Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

Vamos Corriente de drenaje 1 = Corriente de polarización de CC/2+Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2*sqrt(1-Señal de entrada diferencial^2/(4*Voltaje de sobremarcha^2))

Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

Vamos Corriente de drenaje 1 = Corriente de polarización de CC/2+Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2

Segunda corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

Vamos Corriente de drenaje 2 = Corriente de polarización de CC/2-Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2

Corriente de drenaje instantánea

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Componente CC de la puerta a la fuente de voltaje-voltaje total+Voltaje crítico)^2

Drenar la corriente de saturación de MOSFET

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje efectivo)^2

Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)^2

Drenar corriente de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

Vamos Corriente de drenaje = (Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha)*(Señal de entrada diferencial/2)

Corriente de drenaje en la línea de carga

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de suministro-Voltaje de la fuente de drenaje)/Resistencia de carga

Corriente de drenaje instantánea con respecto al componente CC de Vgs

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*((Voltaje crítico-voltaje total)^2)

Corriente en modo común Rechazo de MOSFET

Vamos Corriente Total = Señal incremental/((1/Transconductancia)+(2*Resistencia de salida))

Corriente de cortocircuito de MOSFET

Vamos Corriente de salida = Transconductancia*Voltaje puerta-fuente

Corriente de drenaje en la línea de carga Fórmula

Corriente de drenaje = (Voltaje de suministro-Voltaje de la fuente de drenaje)/Resistencia de carga
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L

¿Qué es la corriente de drenaje en MOSFET?

La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente por debajo del umbral y varía exponencialmente con V

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