Calculadora Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

✖El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.ⓘ Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuenteⓘ Relación de aspecto [WL]			+10% -10%
✖El voltaje efectivo es el voltaje de CC equivalente que produciría la misma cantidad de disipación de energía en una carga resistiva que el voltaje de CA que se mide.ⓘ Voltaje efectivo [V_ov]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje de saturación por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.ⓘ Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov [I_ds]

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Fórmula

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Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Fórmula

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"ov"})^2`

Ejemplo

`"29.39328mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.16V")^2`

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Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de saturación por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.
Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo es el voltaje de CC equivalente que produciría la misma cantidad de disipación de energía en una carga resistiva que el voltaje de CA que se mide.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS: 2.1 milisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Relación de aspecto: 6 --> No se requiere conversión
Voltaje efectivo: 2.16 Voltio --> 2.16 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.16)^2

Evaluar ... ...

I_ds = 0.02939328

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.02939328 Amperio -->29.39328 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

29.39328 Miliamperio <-- Corriente de drenaje de saturación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov Fórmula

Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2

¿Qué es la corriente de drenaje en MOSFET?

La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con Vgs. El recíproco de la pendiente del registro (Ids) frente a la característica Vgs se define como la pendiente subumbral, S, y es una de las métricas de rendimiento más críticas para los MOSFET en aplicaciones lógicas.

¿De qué manera fluye la corriente en un PMOS?

En un NMOS, los electrones son los portadores de carga. Entonces, los electrones viajan de la fuente al drenaje (lo que significa que la corriente va de drenaje> fuente). En un PMOS, los agujeros son los portadores de carga1. Entonces, los agujeros viajan de la fuente al drenaje.

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