Calculadora Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p

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Características de los semiconductores

Características del diodo

Características del portador de carga

Parámetros de funcionamiento del transistor

Parámetros electrostáticos

✖La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%
✖La concentración de portadores minoritarios es el número de portadores en la banda de valencia sin sesgo aplicado externamente.ⓘ Concentración de portadores minoritarios [p₀]			+10% -10%

✖La concentración de portadores mayoritarios es el número de portadores en la banda de conducción sin polarización aplicada externamente.ⓘ Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p [n₀]

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Fórmula

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Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p

Fórmula

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Ejemplo

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

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Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
n₀ = n_i^2/p₀
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración de portadores mayoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores mayoritarios es el número de portadores en la banda de conducción sin polarización aplicada externamente.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Concentración de portadores minoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores minoritarios es el número de portadores en la banda de valencia sin sesgo aplicado externamente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de portador intrínseco: 120000000 1 por metro cúbico --> 120000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de portadores minoritarios: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Evaluar ... ...

n₀ = 158241758.241758

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

158241758.241758 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 por metro cúbico <-- Concentración de portadores mayoritarios

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana

¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Verificada por Equipo Softusvista

Oficina Softusvista (Pune), India

¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

< 13 Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores

Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)

Función de distribución de Fermi Dirac

Vamos Función de distribución de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nivel de energía de Fermi-Nivel de energía de Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))

Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N

Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones

Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P

Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros

Longitud de difusión de electrones

Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)

Brecha de banda de energía

Vamos Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)

Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p

Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios

Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores

Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios

Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos

Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2

Densidad de corriente de deriva

Vamos Densidad de corriente de deriva = Agujeros Densidad de corriente+Densidad de corriente de electrones

Movilidad de los portadores de carga

Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico

Voltaje de saturación usando voltaje de umbral

Vamos Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral

Campo eléctrico debido al voltaje Hall

Vamos Campo eléctrico de pasillo = Voltaje de pasillo/Ancho del conductor

Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p Fórmula

Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
n₀ = n_i^2/p₀

¿Cómo se ve afectada la concentración de portadores mayoritarios por la concentración de impurezas del donante?

la concentración de electrones portadores mayoritarios en equilibrio térmico es esencialmente igual a la concentración de impurezas donantes. Las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios en equilibrio térmico pueden diferir en muchos órdenes de magnitud. Si la concentración de impurezas del donante no es demasiado diferente en magnitud de la concentración de portador intrínseco, la concentración de electrones del portador mayoritario en equilibrio térmico está influenciada por la concentración intrínseca.

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