Calculadora Corriente de saturación usando concentración de dopaje

✖El área de la sección transversal de la unión base-emisor es el ancho en la dirección perpendicular a la página.ⓘ Área de sección transversal de la unión base-emisor [A_E]			+10% -10%
✖La difusividad de electrones es la corriente de difusión es una corriente en un semiconductor causada por la difusión de portadores de carga (huecos y/o electrones).ⓘ Difusividad de electrones [D_n]			+10% -10%
✖La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i1]			+10% -10%
✖El ancho de la unión base es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.ⓘ Ancho de la unión base [W_base]			+10% -10%
✖La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.ⓘ Dopaje Concentración de Base [N_B]			+10% -10%

✖La corriente de saturación es la densidad de corriente de fuga del diodo en ausencia de luz. Es un parámetro importante que diferencia un diodo de otro.ⓘ Corriente de saturación usando concentración de dopaje [I_sat]

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Fórmula

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Corriente de saturación usando concentración de dopaje

Fórmula

`"I"_{"sat"} = ("A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*("n"_{"i1"})^2)/("W"_{"base"}*"N"_{"B"})`

Ejemplo

`"2.7E^-12mA"=("8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*("1E5/m³")^2)/("0.002m"*"19/m³")`

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Corriente de saturación usando concentración de dopaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de saturación = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 6 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Variables utilizadas

Corriente de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de saturación es la densidad de corriente de fuga del diodo en ausencia de luz. Es un parámetro importante que diferencia un diodo de otro.
Área de sección transversal de la unión base-emisor - (Medido en Metro cuadrado) - El área de la sección transversal de la unión base-emisor es el ancho en la dirección perpendicular a la página.
Difusividad de electrones - (Medido en Metro cuadrado por segundo) - La difusividad de electrones es la corriente de difusión es una corriente en un semiconductor causada por la difusión de portadores de carga (huecos y/o electrones).
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Ancho de la unión base - (Medido en Metro) - El ancho de la unión base es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.
Dopaje Concentración de Base - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Área de sección transversal de la unión base-emisor: 8 Centímetro cuadrado --> 0.0008 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Difusividad de electrones: 0.8 Centímetro cuadrado por segundo --> 8E-05 Metro cuadrado por segundo (Verifique la conversión aquí)
Concentración de portador intrínseco: 100000 1 por metro cúbico --> 100000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Ancho de la unión base: 0.002 Metro --> 0.002 Metro No se requiere conversión
Dopaje Concentración de Base: 19 1 por metro cúbico --> 19 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Evaluar ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.69840272842105E-15 Amperio -->2.69840272842105E-12 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Miliamperio <-- Corriente de saturación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 14 corriente básica Calculadoras

Corriente base utilizando corriente de saturación en CC

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)+Presión de vapor de saturación*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)

Corriente de saturación usando concentración de dopaje

Vamos Corriente de saturación = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base)

Ganancia de corriente de cortocircuito de BJT

Vamos Ganancia de corriente de cortocircuito = (Ganancia de corriente de emisor común a baja frecuencia)/(1+Variable de frecuencia compleja*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)*Resistencia de entrada)

Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente base 2 de BJT

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))

Corriente base del transistor PNP usando corriente de saturación

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Corriente de referencia del espejo BJT

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente+(2*Colector de corriente)/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente de referencia del espejo de corriente BJT

Vamos Corriente de referencia = (Voltaje de suministro-Voltaje base-emisor)/Resistencia

Corriente de referencia del espejo BJT dada la corriente del colector

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente*(1+2/Ganancia de corriente de emisor común)

Corriente base del transistor PNP dada la corriente del emisor

Vamos corriente básica = Corriente del emisor/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Corriente de base del transistor PNP usando ganancia de corriente de base común

Vamos corriente básica = (1-Ganancia de corriente de base común)*Corriente del emisor

Corriente base del transistor PNP usando corriente de colector

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente base 1 de BJT

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente básica total

Vamos corriente básica = Corriente básica 1+Corriente base 2

Corriente de saturación usando concentración de dopaje Fórmula

¿Qué es la corriente de saturación en el transistor?

El transistor estará polarizado para que se aplique la cantidad máxima de corriente base, lo que da como resultado una corriente máxima de colector que da como resultado la caída de voltaje mínimo colector-emisor que da como resultado que la capa de agotamiento sea lo más pequeña posible y la corriente máxima fluya a través del transistor. Por lo tanto, el transistor se conmuta a “Totalmente ENCENDIDO”. Entonces podemos definir la “región de saturación” o el “modo ENCENDIDO” cuando se usa un transistor bipolar como interruptor como si ambas uniones estén polarizadas hacia adelante, VB> 0.7vy IC = Máximo. Para un transistor PNP, el potencial del emisor debe ser positivo con respecto a la base.

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