Calculadora Transconductancia en la región de saturación

✖La conductancia de salida representa la conductancia de la fuente de drenaje de señal pequeña del MOSFET cuando el voltaje de la fuente de la puerta se mantiene constante.ⓘ Conductancia de salida [G_o]			+10% -10%
✖La barrera de potencial del diodo Schottky es la barrera de energía que existe en la interfaz entre un metal y un material semiconductor en un diodo Schottky.ⓘ Barrera potencial de diodo Schottky [V_i]			+10% -10%
✖El voltaje de puerta se refiere al voltaje aplicado al terminal de control de un MESFET para regular su conductancia. El voltaje de puerta determina la cantidad de portadores de carga libres en el canal.ⓘ Voltaje de puerta [V_g]			+10% -10%
✖El voltaje de desactivación es el voltaje de compuerta al cual el canal queda completamente bloqueado y es un parámetro clave en el funcionamiento de los FET. Es un parámetro importante en el diseño de circuitos.ⓘ Voltaje de pellizco [V_p]			+10% -10%

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de drenaje y el cambio en el voltaje de la fuente de la puerta, suponiendo un voltaje de la fuente de drenaje constante.ⓘ Transconductancia en la región de saturación [g_m]

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Fórmula

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Transconductancia en la región de saturación

Fórmula

`"g"_{"m"} = "G"_{"o"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"g"})/"V"_{"p"}))`

Ejemplo

`"0.050963S"="0.174S"*(1-sqrt(("15.9V"-"9.62V")/"12.56V"))`

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Transconductancia en la región de saturación Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia = Conductancia de salida*(1-sqrt((Barrera potencial de diodo Schottky-Voltaje de puerta)/Voltaje de pellizco))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de drenaje y el cambio en el voltaje de la fuente de la puerta, suponiendo un voltaje de la fuente de drenaje constante.
Conductancia de salida - (Medido en Siemens) - La conductancia de salida representa la conductancia de la fuente de drenaje de señal pequeña del MOSFET cuando el voltaje de la fuente de la puerta se mantiene constante.
Barrera potencial de diodo Schottky - (Medido en Voltio) - La barrera de potencial del diodo Schottky es la barrera de energía que existe en la interfaz entre un metal y un material semiconductor en un diodo Schottky.
Voltaje de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de puerta se refiere al voltaje aplicado al terminal de control de un MESFET para regular su conductancia. El voltaje de puerta determina la cantidad de portadores de carga libres en el canal.
Voltaje de pellizco - (Medido en Voltio) - El voltaje de desactivación es el voltaje de compuerta al cual el canal queda completamente bloqueado y es un parámetro clave en el funcionamiento de los FET. Es un parámetro importante en el diseño de circuitos.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Conductancia de salida: 0.174 Siemens --> 0.174 Siemens No se requiere conversión
Barrera potencial de diodo Schottky: 15.9 Voltio --> 15.9 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de puerta: 9.62 Voltio --> 9.62 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de pellizco: 12.56 Voltio --> 12.56 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

Evaluar ... ...

g_m = 0.0509634200735407

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0509634200735407 Siemens --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 Siemens <-- Transconductancia

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Sonu Kumar Keshri

Instituto Nacional de Tecnología, Patna (NITP), patna

¡Sonu Kumar Keshri ha creado esta calculadora y 5 más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

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Frecuencia de corte utilizando la frecuencia máxima

Vamos Frecuencia de corte = (2*Frecuencia máxima de oscilaciones)/(sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia a la metalización de la puerta+Resistencia de entrada)))

Resistencia a la metalización de la puerta

Vamos Resistencia a la metalización de la puerta = ((Resistencia al drenaje*Frecuencia de corte^2)/(4*Frecuencia máxima de oscilaciones^2))-(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada)

Resistencia de la fuente

Vamos Resistencia de la fuente = ((Resistencia al drenaje*Frecuencia de corte^2)/(4*Frecuencia máxima de oscilaciones^2))-(Resistencia a la metalización de la puerta+Resistencia de entrada)

Resistencia de entrada

Vamos Resistencia de entrada = ((Resistencia al drenaje*Frecuencia de corte^2)/(4*Frecuencia máxima de oscilaciones^2))-(Resistencia a la metalización de la puerta+Resistencia de la fuente)

Resistencia al drenaje de MESFET

Vamos Resistencia al drenaje = ((4*Frecuencia máxima de oscilaciones^2)/Frecuencia de corte^2)*(Resistencia de la fuente+Resistencia a la metalización de la puerta+Resistencia de entrada)

Transconductancia en la región de saturación

Vamos Transconductancia = Conductancia de salida*(1-sqrt((Barrera potencial de diodo Schottky-Voltaje de puerta)/Voltaje de pellizco))

Frecuencia máxima de oscilaciones en MESFET

Vamos Frecuencia máxima de oscilaciones = (Frecuencia de ganancia unitaria/2)*sqrt(Resistencia al drenaje/Resistencia a la metalización de la puerta)

Frecuencia máxima de oscilación dada la transconductancia

Vamos Frecuencia máxima de oscilaciones = Transconductancia/(pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Frecuencia de corte dada la transconductancia y la capacitancia

Vamos Frecuencia de corte = Transconductancia/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Capacitancia de la fuente de puerta

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = Transconductancia/(2*pi*Frecuencia de corte)

Transconductancia en MESFET

Vamos Transconductancia = 2*Capacitancia de la fuente de puerta*pi*Frecuencia de corte

Longitud de la puerta de MESFET

Vamos Longitud de la puerta = Velocidad de deriva saturada/(4*pi*Frecuencia de corte)

Frecuencia de corte

Vamos Frecuencia de corte = Velocidad de deriva saturada/(4*pi*Longitud de la puerta)

Transconductancia en la región de saturación Fórmula

Transconductancia = Conductancia de salida*(1-sqrt((Barrera potencial de diodo Schottky-Voltaje de puerta)/Voltaje de pellizco))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))

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