Calculadora Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

✖El cambio de umbral a tensión base define la velocidad a la que cambia la tensión umbral con respecto a la tensión base.ⓘ Cambio en el umbral al voltaje base [Χ]			+10% -10%
✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia [g_m]			+10% -10%

✖La transconductancia del cuerpo se refiere a la medida de cuánto cambia la corriente de salida de un dispositivo en respuesta a un cambio en el voltaje de entrada. .ⓘ Efecto del cuerpo sobre la transconductancia [g_mb]

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Fórmula

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Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Fórmula

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

Ejemplo

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

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Efecto del cuerpo sobre la transconductancia Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia
g_mb = Χ*g_m
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Transconductancia Corporal - (Medido en Siemens) - La transconductancia del cuerpo se refiere a la medida de cuánto cambia la corriente de salida de un dispositivo en respuesta a un cambio en el voltaje de entrada. .
Cambio en el umbral al voltaje base - El cambio de umbral a tensión base define la velocidad a la que cambia la tensión umbral con respecto a la tensión base.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cambio en el umbral al voltaje base: 0.2 --> No se requiere conversión
Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

Evaluar ... ...

g_mb = 0.0001

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0001 Siemens -->0.1 milisiemens (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.1 milisiemens <-- Transconductancia Corporal

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 16 Transconductancia Calculadoras

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia/(Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral))

Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Transconductancia dada corriente de drenaje

Vamos Transconductancia = sqrt(2*Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Transconductancia del proceso dada la transconductancia y la corriente de drenaje

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual

Vamos Corriente de drenaje = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Parámetro de transconductancia del proceso)

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso y el voltaje de sobremarcha

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia/(Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha)

Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha

Transconductancia MOSFET dado el parámetro de transconductancia

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia

Transconductancia de puerta trasera

Vamos Transconductancia de puerta trasera = Transconductancia*Eficiencia de voltaje

Transconductancia MOSFET

Vamos Transconductancia = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente

Transconductancia MOSFET dado voltaje de sobremarcha

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia*Voltaje de sobremarcha

Parámetro de transconductancia de proceso de MOSFET

Vamos Parámetro de transconductancia = Transconductancia/Voltaje de sobremarcha

Drenar corriente usando transconductancia

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de sobremarcha)*Transconductancia/2

Transconductancia en MOSFET

Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha

< 15 Características del MOSFET Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)

Frecuencia de transición de MOSFET

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Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización

Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)

Ganancia de voltaje usando señal pequeña

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia finita)

Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje

Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo

Voltaje de saturación de MOSFET

Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia

Voltaje de polarización de MOSFET

Vamos Voltaje de polarización instantáneo total = Voltaje de polarización CC+Voltaje CC

Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes

Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico

Transconductancia en MOSFET

Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha

Factor de amplificación en el modelo MOSFET de pequeña señal

Vamos Factor de amplificación = Transconductancia*Resistencia de salida

Voltaje umbral de MOSFET

Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Conductancia en resistencia lineal de MOSFET

Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia Fórmula

Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia
g_mb = Χ*g_m

¿Qué es la ganancia de voltaje?

La diferencia entre el nivel de voltaje de la señal de salida en decibelios y el nivel de voltaje de la señal de entrada en decibelios; este valor es igual a 20 veces el logaritmo común de la relación entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada.

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