Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
IB = Ic/β
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Courant de base - (Mesuré en Ampère) - Le courant de base est un courant crucial du transistor à jonction bipolaire. Sans le courant de base, le transistor ne peut pas s'allumer.
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Gain de courant de l'émetteur commun - Le gain de courant de l'émetteur commun est influencé par 2 facteurs : la largeur de la région de base W et les dopages relatifs de la région de base et de la région de l'émetteur. Sa gamme varie de 50 à 200.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant de collecteur: 5 Milliampère --> 0.005 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Gain de courant de l'émetteur commun: 65 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
IB = Ic/β --> 0.005/65
Évaluer ... ...
IB = 7.69230769230769E-05
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
7.69230769230769E-05 Ampère -->0.0769230769230769 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)
RÉPONSE FINALE
0.0769230769230769 0.076923 Milliampère <-- Courant de base
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

14 Courant de base Calculatrices

Courant de saturation utilisant la concentration de dopage
Aller Courant de saturation = (Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(Concentration de transporteur intrinsèque)^2)/(Largeur de la jonction de base*Concentration de dopage de la base)
Courant de base utilisant le courant de saturation en courant continu
Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)+Pression de vapeur saturante*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)
Gain de courant de court-circuit de BJT
Aller Gain de courant de court-circuit = (Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence)/(1+Variable de fréquence complexe*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)*Résistance d'entrée)
Courant de drain donné Paramètre de l'appareil
Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)
Courant de base 2 de BJT
Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation
Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
Courant de référence du miroir BJT
Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de référence du miroir de courant BJT
Aller Courant de référence = (Tension d'alimentation-Tension base-émetteur)/Résistance
Courant de référence du miroir BJT donné Courant de collecteur
Aller Courant de référence = Courant de collecteur*(1+2/Gain de courant de l'émetteur commun)
Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur
Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur
Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base 1 de BJT
Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun
Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
Courant de base total
Aller Courant de base = Courant de base 1+Courant de base 2

20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation
Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
Fréquence de transition du BJT
Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))
Puissance totale dissipée en BJT
Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
Bande passante à gain unitaire de BJT
Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)
Courant de référence du miroir BJT
Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun
Mode commun Taux de réjection
Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)
Résistance de sortie de BJT
Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
Tension de sortie de l'amplificateur BJT
Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge
Gain de courant de base commune
Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire
Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
Puissance totale fournie en BJT
Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)
Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur
Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur
Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur
Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun
Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
Tension du collecteur à l'émetteur à saturation
Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
Courant de collecteur de BJT
Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base
Courant d'émetteur de BJT
Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base
Transconductance de court-circuit
Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée
Gain intrinsèque de BJT
Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur Formule

Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
IB = Ic/β

Quels sont les composants du courant de base?

Le courant de base 2 est dû aux trous injectés de la région de base dans la région d'émetteur. Cette composante de courant est proportionnelle à e ^ V

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