Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde Calculatrice

✖La mobilité des électrons est définie comme l’ampleur de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.ⓘ Mobilité de l'électron [μ_e]			+10% -10%
✖la capacité de l'oxyde est la capacité du condensateur à plaques parallèles par unité de surface de grille.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.ⓘ Largeur du canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.ⓘ Tension aux bornes de l'oxyde [V_ox]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖La tension de saturation entre le drain et la source dans un transistor est une tension entre le collecteur et l'émetteur nécessaire à la saturation.ⓘ Tension de saturation entre drain et source [V_ds]			+10% -10%

✖Le courant de sortie est le courant que l'amplificateur tire de la source de signal.ⓘ Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde [i_o]

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Formule

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Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Formule

`"i"_{"o"} = ("μ"_{"e"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"}))*"V"_{"ds"}`

Exemple

`"14.63474mA"=("0.012m²/V*s"*"0.001F/m²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("3.775V"-"2V"))*"220V"`

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Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Cette formule utilise 8 Variables

Variables utilisées

Courant de sortie - (Mesuré en Ampère) - Le courant de sortie est le courant que l'amplificateur tire de la source de signal.
Mobilité de l'électron - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des électrons est définie comme l’ampleur de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad par mètre carré) - la capacité de l'oxyde est la capacité du condensateur à plaques parallèles par unité de surface de grille.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Tension de saturation entre drain et source - (Mesuré en Volt) - La tension de saturation entre le drain et la source dans un transistor est une tension entre le collecteur et l'émetteur nécessaire à la saturation.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Mobilité de l'électron: 0.012 Mètre carré par volt par seconde --> 0.012 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 0.001 Farad par mètre carré --> 0.001 Farad par mètre carré Aucune conversion requise
Largeur du canal: 10.15 Micromètre --> 1.015E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 3.25 Micromètre --> 3.25E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension aux bornes de l'oxyde: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
Tension de saturation entre drain et source: 220 Volt --> 220 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

Évaluer ... ...

i_o = 0.0146347384615385

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0146347384615385 Ampère -->14.6347384615385 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

14.6347384615385 ≈ 14.63474 Milliampère <-- Courant de sortie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Tension efficace globale de la transconductance MOSFET

Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension d'entrée donnée Tension du signal

Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal

Paramètre de transconductance du transistor MOS

Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Courant de drain du transistor

Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites

Tension de drain instantanée totale

Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Transconductance des amplificateurs à transistors

Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Gain de courant continu de l'amplificateur

Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test

Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai

Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor

Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée

Courant de test de l'amplificateur à transistor

Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée

Résistance d'entrée du circuit à porte commune

Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde Formule

Expliquez le fonctionnement du transistor NMOS.

Un transistor NMOS avec la tension aux bornes de la source de gaz> tension de seuil et avec une petite tension entre le drain et la source appliquée. L'appareil agit comme une résistance dont la valeur est déterminée par la tension aux bornes de la source de gaz. Plus précisément, la conductance du canal est proportionnelle à la tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil, et donc Id est proportionnelle à la tension (tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil) entre le drain et la source.

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