Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus dans PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%
✖La tension effective est la tension continue équivalente qui produirait la même quantité de dissipation de puissance dans une charge résistive que la tension alternative mesurée.ⓘ Tension efficace [V_ov]			+10% -10%

✖Le courant de drain de saturation en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov [I_ds]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Formule

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"ov"})^2`

Exemple

`"29.39328mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.16V")^2`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger MOSFET Formule PDF

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Courant de drain de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de saturation en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.
Paramètre de transconductance de processus dans PMOS - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective est la tension continue équivalente qui produirait la même quantité de dissipation de puissance dans une charge résistive que la tension alternative mesurée.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance de processus dans PMOS: 2.1 millisiemens --> 0.0021 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Ratio d'aspect: 6 --> Aucune conversion requise
Tension efficace: 2.16 Volt --> 2.16 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.16)^2

Évaluer ... ...

I_ds = 0.02939328

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.02939328 Ampère -->29.39328 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

29.39328 Milliampère <-- Courant de drain de saturation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Amélioration du canal P » Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 14 Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain global du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2*(1+Tension entre drain et source/modulus(Tension précoce))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Effet corporel dans PMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Drainer le courant de la source au drain

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Aller Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde

Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Charge de couche d'inversion dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Aller Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Tension de surmultiplication du PMOS

Aller Tension efficace = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil)

Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Aller Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov Formule

Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2

Qu'est-ce que le courant de drain dans le MOSFET?

Le courant de drain au-dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec Vgs. La réciproque de la pente de la caractéristique log (Id) par rapport à Vgs est définie comme la pente sous-seuil, S, et est l'une des mesures de performance les plus critiques pour les MOSFET dans les applications logiques.

Dans quel sens le courant circule-t-il dans un PMOS?

Dans un NMOS, les électrons sont les porteurs de charge. Ainsi, les électrons voyagent de la source vers le drain (ce qui signifie que le courant va de drain> source). Dans un PMOS, les trous sont les porteurs de charge1. Les trous voyagent donc de la source au drain.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!