Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires
n0 = ni^2/p0
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Concentration des porteurs majoritaires - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs majoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de conduction sans biais appliqué de l'extérieur.
Concentration de transporteur intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration des porteurs minoritaires - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs minoritaires est le nombre de porteurs dans la bande de valence sans biais appliqué de l'extérieur.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Concentration de transporteur intrinsèque: 120000000 1 par mètre cube --> 120000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des porteurs minoritaires: 91000000 1 par mètre cube --> 91000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
n0 = ni^2/p0 --> 120000000^2/91000000
Évaluer ... ...
n0 = 158241758.241758
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
158241758.241758 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
158241758.241758 1.6E+8 1 par mètre cube <-- Concentration des porteurs majoritaires
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

13 Caractéristiques des semi-conducteurs Calculatrices

Conductivité dans les semi-conducteurs
Aller Conductivité = (Densité d'électron*[Charge-e]*Mobilité de l'électron)+(Densité des trous*[Charge-e]*Mobilité des trous)
Fonction de répartition de Fermi Dirac
Aller Fonction de répartition de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Niveau d'énergie de Fermi-Niveau d'énergie de Fermi)/([BoltZ]*Température)))
Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N
Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron
Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P
Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous
Longueur de diffusion d'électrons
Aller Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)
Écart de bande d'énergie
Aller Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)
Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p
Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires
Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs
Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires
Niveau de Fermi des semi-conducteurs intrinsèques
Aller Semi-conducteur intrinsèque de niveau de Fermi = (Énergie de bande de conduction+Énergie de la bande de cantonnière)/2
Densité de courant de dérive
Aller Densité de courant de dérive = Densité de courant des trous+Densité de courant électronique
Mobilité des Porteurs de Charge
Aller Porteurs de charge Mobilité = Vitesse de dérive/Intensité du champ électrique
Tension de saturation utilisant la tension de seuil
Aller Tension de saturation = Tension de source de grille-Tension de seuil
Champ électrique dû à la tension Hall
Aller Hall Champ électrique = Tension Hall/Largeur du conducteur

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs Formule

Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires
n0 = ni^2/p0

Qu'est-ce qu'une loi d'action de masse ?

Dans un semi-conducteur en équilibre thermique (à température constante), le produit des trous et des électrons est toujours constant et égal au carré du semi-conducteur intrinsèque.

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