Courant de saturation utilisant la concentration de dopage Calculatrice

✖La zone de section transversale de la jonction base-émetteur est la largeur dans la direction perpendiculaire à la page.ⓘ Zone de section transversale de la jonction base-émetteur [A_E]			+10% -10%
✖La diffusivité électronique est le courant de diffusion est un courant dans un semi-conducteur provoqué par la diffusion de porteurs de charge (trous et/ou électrons).ⓘ Diffusivité électronique [D_n]			+10% -10%
✖La concentration de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Concentration de transporteur intrinsèque [n_i1]			+10% -10%
✖La largeur de la jonction de base est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.ⓘ Largeur de la jonction de base [W_base]			+10% -10%
✖La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.ⓘ Concentration de dopage de la base [N_B]			+10% -10%

✖Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.ⓘ Courant de saturation utilisant la concentration de dopage [I_sat]

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Formule

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Courant de saturation utilisant la concentration de dopage

Formule

`"I"_{"sat"} = ("A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*("n"_{"i1"})^2)/("W"_{"base"}*"N"_{"B"})`

Exemple

`"2.7E^-12mA"=("8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*("1E5/m³")^2)/("0.002m"*"19/m³")`

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Courant de saturation utilisant la concentration de dopage Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de saturation = (Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(Concentration de transporteur intrinsèque)^2)/(Largeur de la jonction de base*Concentration de dopage de la base)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Cette formule utilise 1 Constantes, 6 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation est la densité de courant de fuite de la diode en l'absence de lumière. C'est un paramètre important qui différencie une diode d'une autre.
Zone de section transversale de la jonction base-émetteur - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de section transversale de la jonction base-émetteur est la largeur dans la direction perpendiculaire à la page.
Diffusivité électronique - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La diffusivité électronique est le courant de diffusion est un courant dans un semi-conducteur provoqué par la diffusion de porteurs de charge (trous et/ou électrons).
Concentration de transporteur intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs intrinsèques est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Largeur de la jonction de base - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la jonction de base est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.
Concentration de dopage de la base - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Zone de section transversale de la jonction base-émetteur: 8 place Centimètre --> 0.0008 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Diffusivité électronique: 0.8 Centimètre carré par seconde --> 8E-05 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Concentration de transporteur intrinsèque: 100000 1 par mètre cube --> 100000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Largeur de la jonction de base: 0.002 Mètre --> 0.002 Mètre Aucune conversion requise
Concentration de dopage de la base: 19 1 par mètre cube --> 19 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Évaluer ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.69840272842105E-15 Ampère -->2.69840272842105E-12 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Milliampère <-- Courant de saturation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 14 Courant de base Calculatrices

Courant de saturation utilisant la concentration de dopage

Aller Courant de saturation = (Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(Concentration de transporteur intrinsèque)^2)/(Largeur de la jonction de base*Concentration de dopage de la base)

Courant de base utilisant le courant de saturation en courant continu

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)+Pression de vapeur saturante*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)

Gain de courant de court-circuit de BJT

Aller Gain de courant de court-circuit = (Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence)/(1+Variable de fréquence complexe*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)*Résistance d'entrée)

Courant de drain donné Paramètre de l'appareil

Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)

Courant de base 2 de BJT

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de référence du miroir de courant BJT

Aller Courant de référence = (Tension d'alimentation-Tension base-émetteur)/Résistance

Courant de référence du miroir BJT donné Courant de collecteur

Aller Courant de référence = Courant de collecteur*(1+2/Gain de courant de l'émetteur commun)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base 1 de BJT

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Courant de base total

Aller Courant de base = Courant de base 1+Courant de base 2

Courant de saturation utilisant la concentration de dopage Formule

Qu'est-ce que le courant de saturation dans le transistor?

Le transistor sera polarisé de sorte que la quantité maximale de courant de base soit appliquée, ce qui entraîne un courant de collecteur maximal entraînant une chute de tension minimale du collecteur-émetteur, ce qui entraîne une couche d'appauvrissement aussi petite que possible et un courant maximal circulant à travers le transistor. Par conséquent, le transistor est commuté «entièrement ON». Ensuite, nous pouvons définir la «région de saturation» ou «mode ON» lors de l'utilisation d'un transistor bipolaire comme interrupteur comme étant, les deux jonctions polarisées en direct, VB> 0,7v et IC = Maximum. Pour un transistor PNP, le potentiel de l'émetteur doit être positif par rapport à la base.

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