Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore calcolatrice

✖La corrente di saturazione è la densità della corrente di dispersione del diodo in assenza di luce. È un parametro importante che differenzia un diodo da un altro.ⓘ Corrente di saturazione [i_s]			+10% -10%
✖La tensione attraverso la giunzione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.ⓘ Tensione attraverso la giunzione base-emettitore [V_be]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%

✖La corrente di collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.ⓘ Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore [i_c]

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Formula

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Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore

Formula

`"i"_{"c"} = "i"_{"s"}*e^("V"_{"be"}/"V"_{"t"})`

Esempio

`"39.44194mA"="0.01mA"*e^("16.56V"/"2V")`

Calcolatrice

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Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente del collettore = Corrente di saturazione*e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

e - Costante di Napier Valore preso come 2.71828182845904523536028747135266249

Variabili utilizzate

Corrente del collettore - (Misurato in Ampere) - La corrente di collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.
Corrente di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di saturazione è la densità della corrente di dispersione del diodo in assenza di luce. È un parametro importante che differenzia un diodo da un altro.
Tensione attraverso la giunzione base-emettitore - (Misurato in Volt) - La tensione attraverso la giunzione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente di saturazione: 0.01 Millampere --> 1E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione attraverso la giunzione base-emettitore: 16.56 Volt --> 16.56 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_c = i_s*e^(V_be/V_t) --> 1E-05*e^(16.56/2)

Valutare ... ...

i_c = 0.039441943819803

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.039441943819803 Ampere -->39.441943819803 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

39.441943819803 ≈ 39.44194 Millampere <-- Corrente del collettore

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< 10+ Seguace dell'emettitore Calcolatrici

Resistenza di uscita dell'emettitore follower

Partire Resistenza finita = (1/Resistenza al carico+1/Piccola tensione di segnale+1/Resistenza dell'emettitore)+(1/Impedenza di base+1/Resistenza del segnale)/(Guadagno corrente base del collettore+1)

Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore

Partire Corrente del collettore = Corrente di saturazione*e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)

Corrente di saturazione dell'emettitore inseguitore

Partire Corrente di saturazione = Corrente del collettore/e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)

Resistenza di ingresso dell'emettitore follower

Partire Resistenza in ingresso = 1/(1/Resistenza del segnale in base+1/Resistenza di base)

Resistenza di base attraverso la giunzione dell'emettitore inseguitore

Partire Resistenza di base = Costante ad alta frequenza*Resistenza dell'emettitore

Resistenza totale dell'emettitore dell'emettitore follower

Partire Resistenza dell'emettitore = Resistenza di base/Costante ad alta frequenza

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a transistor

Partire Resistenza in ingresso = Ingresso dell'amplificatore/Corrente in ingresso

Corrente di collettore del transistor follower dell'emettitore

Partire Corrente del collettore = Tensione iniziale/Resistenza di uscita finita

Resistenza di uscita del transistor a guadagno intrinseco

Partire Resistenza di uscita finita = Tensione iniziale/Corrente del collettore

Tensione di ingresso dell'emettitore follower

Partire Tensione dell'emettitore = Tensione di base-0.7

< 15 Amplificatori a transistor multistadio Calcolatrici

Guadagno di tensione del cascode bipolare a circuito aperto

Partire Guadagno di tensione del cascode bipolare = -Transconduttanza primaria MOSFET*(Transconduttanza secondaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1

Resistenza di uscita dell'emettitore follower

Resistenza di drenaggio dell'amplificatore Cascode

Partire Resistenza allo scarico = (Guadagno della tensione di uscita/(Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita))

Guadagno della tensione di uscita dell'amplificatore MOS Cascode

Partire Guadagno della tensione di uscita = -Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita*Resistenza allo scarico

Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore

Partire Corrente del collettore = Corrente di saturazione*e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)

Corrente di saturazione dell'emettitore inseguitore

Partire Corrente di saturazione = Corrente del collettore/e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)

Resistenza equivalente dell'amplificatore Cascode

Partire Resistenza tra scarico e terra = (1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza in ingresso)^-1

Guadagno di tensione negativo dell'amplificatore Cascode

Partire Guadagno di tensione negativo = -(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza tra scarico e terra)

Resistenza di ingresso dell'emettitore follower

Partire Resistenza in ingresso = 1/(1/Resistenza del segnale in base+1/Resistenza di base)

Resistenza di base attraverso la giunzione dell'emettitore inseguitore

Partire Resistenza di base = Costante ad alta frequenza*Resistenza dell'emettitore

Resistenza totale dell'emettitore dell'emettitore follower

Partire Resistenza dell'emettitore = Resistenza di base/Costante ad alta frequenza

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a transistor

Partire Resistenza in ingresso = Ingresso dell'amplificatore/Corrente in ingresso

Corrente di collettore del transistor follower dell'emettitore

Partire Corrente del collettore = Tensione iniziale/Resistenza di uscita finita

Resistenza di uscita del transistor a guadagno intrinseco

Partire Resistenza di uscita finita = Tensione iniziale/Corrente del collettore

Tensione di ingresso dell'emettitore follower

Partire Tensione dell'emettitore = Tensione di base-0.7

Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore Formula

Corrente del collettore = Corrente di saturazione*e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)

Cos'è una regione attiva?

La regione attiva è la regione in cui i transistor hanno molte applicazioni. Questa è anche chiamata regione lineare. Un transistor mentre si trova in questa regione, agisce meglio come amplificatore. Questa regione si trova tra saturazione e cutoff. Il transistor opera nella regione inattiva quando la giunzione dell'emettitore è polarizzata in avanti e la giunzione del collettore è polarizzata inversamente.

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