Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2)
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*Vds^2)
Questa formula utilizza 7 Variabili
Variabili utilizzate
Assorbimento di corrente in NMOS - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Tensione sorgente gate - (Misurato in Volt) - Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Scaricare la tensione della sorgente - (Misurato in Volt) - Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 metro (Controlla la conversione qui)
Tensione sorgente gate: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nessuna conversione richiesta
Scaricare la tensione della sorgente: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*Vds^2) --> 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*8.43^2)
Valutare ... ...
Id = 0.239693
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.239693 Ampere -->239.693 Millampere (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
239.693 Millampere <-- Assorbimento di corrente in NMOS
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS
Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)
Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate
Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2)
Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS
Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)
Effetto corpo in NMOS
Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))
NMOS come resistenza lineare
Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))
Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione
Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2
Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS
Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2
Parametro del processo di fabbricazione di NMOS
Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido
Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS
Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2
Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva
Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2
Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS
Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
Potenza totale fornita in NMOS
Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)
Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico
Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione
Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni
Potenza totale dissipata in NMOS
Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale
Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS
Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale
Capacità di ossido di NMOS
Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate Formula

Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2)
Id = k'n*Wc/L*((Vgs-VT)*Vds-1/2*Vds^2)

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

Quanta corrente può gestire un MOSFET?

MOSFET ad alto amperaggio come il 511-STP200N3LL affermano di poter gestire 120 Amp di corrente.Il transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo, o MOSFET in breve, ha una resistenza del gate di ingresso estremamente elevata con la corrente che scorre attraverso il canale tra la sorgente e il pozzo. controllato dalla tensione di gate.

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