Scaricare la corrente nella linea di carico calcolatrice

✖La tensione di alimentazione è il livello di tensione fornito a un dispositivo elettronico ed è un parametro critico che influisce sulle prestazioni e sull'affidabilità del dispositivo.ⓘ Tensione di alimentazione [V_dd]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.ⓘ Scaricare la tensione della sorgente [V_ds]			+10% -10%
✖La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.ⓘ Resistenza al carico [R_L]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Scaricare la corrente nella linea di carico [i_d]

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Formula

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Scaricare la corrente nella linea di carico

Formula

`"i"_{"d"} = ("V"_{"dd"}-"V"_{"ds"})/"R"_{"L"}`

Esempio

`"0.071429mA"=("8.45V"-"8.43V")/"0.28kΩ"`

Calcolatrice

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Scaricamento MOSFET Formula PDF

Scaricare la corrente nella linea di carico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = (Tensione di alimentazione-Scaricare la tensione della sorgente)/Resistenza al carico
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Tensione di alimentazione - (Misurato in Volt) - La tensione di alimentazione è il livello di tensione fornito a un dispositivo elettronico ed è un parametro critico che influisce sulle prestazioni e sull'affidabilità del dispositivo.
Scaricare la tensione della sorgente - (Misurato in Volt) - Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.
Resistenza al carico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di alimentazione: 8.45 Volt --> 8.45 Volt Nessuna conversione richiesta
Scaricare la tensione della sorgente: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Nessuna conversione richiesta
Resistenza al carico: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = (V_dd-V_ds)/R_L --> (8.45-8.43)/280

Valutare ... ...

i_d = 7.14285714285699E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.14285714285699E-05 Ampere -->0.0714285714285699 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.0714285714285699 ≈ 0.071429 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 12 Attuale Calcolatrici

Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-Segnale di ingresso differenziale^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-(Segnale di ingresso differenziale)^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2

Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2

Corrente di scarico istantanea

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2

Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2

Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2

Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

Partire Assorbimento di corrente = (Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive)*(Segnale di ingresso differenziale/2)

Scaricare la corrente nella linea di carico

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di alimentazione-Scaricare la tensione della sorgente)/Resistenza al carico

Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2)

Corrente nel rifiuto di modo comune del MOSFET

Partire Corrente totale = Segnale incrementale/((1/Transconduttanza)+(2*Resistenza di uscita))

Corrente di cortocircuito del MOSFET

Partire Corrente di uscita = Transconduttanza*Tensione gate-source

Scaricare la corrente nella linea di carico Formula

Assorbimento di corrente = (Tensione di alimentazione-Scaricare la tensione della sorgente)/Resistenza al carico
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con V

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