Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI

Progettazione VLSI analogica

✖La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità del cancello [C_g]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità dello strato di ossido di gate [C_ox]			+10% -10%
✖La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.ⓘ Larghezza del cancello [W_g]			+10% -10%

✖La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.ⓘ Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate [L_g]

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Formula

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Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate

Formula

`"L"_{"g"} = "C"_{"g"}/("C"_{"ox"}*"W"_{"g"})`

Esempio

`"7.011663mm"="59.61μF"/("29.83μF/mm²"*"0.285mm")`

Calcolatrice

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Scaricamento Elettronica Formula PDF

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Lunghezza del cancello - (Misurato in metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Larghezza del cancello - (Misurato in metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità del cancello: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 29.83 Microfarad per millimetro quadrato --> 29.83 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Larghezza del cancello: 0.285 Millimetro --> 0.000285 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Valutare ... ...

L_g = 0.00701166257917674

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00701166257917674 metro -->7.01166257917674 Millimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Millimetro <-- Lunghezza del cancello

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI

Partire Densità di carica della regione di esaurimento di massa = -(1-((Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente+Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio)/(2*Lunghezza del canale)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Partire Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))

Tensione incorporata di giunzione VLSI

Partire Tensione incorporata di giunzione = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2)

Capacità parassita della sorgente totale

Partire Capacità parassita della sorgente = (Capacità tra giunzione del corpo e sorgente*Area di diffusione della sorgente)+(Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale*Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente)

Corrente di saturazione del canale corto VLSI

Partire Corrente di saturazione del canale corto = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione

Corrente di giunzione

Partire Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)

Potenziale di superficie

Partire Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate

Partire Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)

Capacità dell'ossido di gate

Partire Capacità dello strato di ossido di gate = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo

Partire Tensione di soglia DIBL = Coefficiente DIBL*Drenare al potenziale di origine+Soglia di voltaggio

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Soglia di voltaggio

Partire Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)

Capacità del gate

Partire Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Pendenza sottosoglia

Partire Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala

Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala

Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala

Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Lunghezza del canale/Fattore di scala

Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI

Partire Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Larghezza del canale/Fattore di scala

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Capacità intrinseca di gate

Partire Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione

Mobilità in Mosfet

Partire Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate

K-Prime

Partire K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate

Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate Formula

Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

Quali sono le applicazioni dello strato di ossido in VLSI?

Lo strato di ossido ha applicazioni chiave nei dispositivi a semiconduttore. Serve come isolante di gate nei transistor MOS, consentendo il controllo del flusso di elettroni. Inoltre, funge da strato di isolamento elettrico tra diversi componenti e interconnessioni, garantendo un funzionamento affidabile ed efficiente dei circuiti integrati in applicazioni quali microprocessori, dispositivi di memoria e sensori.

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