Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva
Vth = Vgs-Veff
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione effettiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Valutare ... ...
Vth = 2.3
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.3 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
2.3 Volt <-- Soglia di voltaggio
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verificato da Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source
Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
Tensione di uscita del gate comune
Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))
Tensione di ingresso della sorgente
Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune
Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale
Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
Tensione gate-to-source in ingresso
Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente)) *Tensione di ingresso
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune
Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso
Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET
Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico
Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))
Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale
Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)
Tensione al Drain Q1 del MOSFET
Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione al Drain Q2 nel MOSFET
Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione di saturazione del MOSFET
Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio
Tensione di overdrive
Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive
Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET
Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET
Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore
Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva
Tensione di soglia del MOSFET
Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore Formula

Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva
Vth = Vgs-Veff

In che modo MOSFET agisce da amplificatore?

Un piccolo cambiamento nella tensione di gate produce un grande cambiamento nella corrente di drain come in JFET. Questo fatto rende MOSFET in grado di aumentare la forza di un segnale debole; agendo così come un amplificatore. Durante il semiciclo positivo del segnale, la tensione positiva sul gate aumenta e produce la modalità di miglioramento.

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