Potenziale dal gate alla fonte calcolatrice

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Progettazione VLSI analogica

Ottimizzazione dei materiali VLSI

✖La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.ⓘ Voltaggio da gate a canale [V_gc]			+10% -10%
✖Il potenziale gate-drain è definito come la tensione tra il gate e la giunzione di drain dei MOSFET.ⓘ Porta per drenare potenziale [V_gd]			+10% -10%

✖Il potenziale gate-source è la tensione tra gate ed emettitore.ⓘ Potenziale dal gate alla fonte [V_gs]

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Formula

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Potenziale dal gate alla fonte

Formula

`"V"_{"gs"} = 2*"V"_{"gc"}-"V"_{"gd"} `

Esempio

`"5.002V"=2*"7.011V"-"9.02V" `

Calcolatrice

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Potenziale dal gate alla fonte Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale
V_gs = 2*V_gc-V_gd
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Potenziale dal gate alla fonte - (Misurato in Volt) - Il potenziale gate-source è la tensione tra gate ed emettitore.
Voltaggio da gate a canale - (Misurato in Volt) - La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.
Porta per drenare potenziale - (Misurato in Volt) - Il potenziale gate-drain è definito come la tensione tra il gate e la giunzione di drain dei MOSFET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Voltaggio da gate a canale: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Nessuna conversione richiesta
Porta per drenare potenziale: 9.02 Volt --> 9.02 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_gs = 2*V_gc-V_gd --> 2*7.011-9.02

Valutare ... ...

V_gs = 5.002

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.002 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

5.002 Volt <-- Potenziale dal gate alla fonte

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Potenziale tra sorgente e corpo

Partire Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))

Porta per la capacità di drenaggio

Partire Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)

Capacità da gate a base

Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)

Capacità dal gate alla sorgente

Partire Capacità dal gate alla sorgente = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Porta per la capacità di drenaggio)

Tensione di drenaggio

Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))

Potenziale da Drain a Source

Partire Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL

Gate to Channel Voltage

Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio

Minima alta tensione di uscita

Partire Tensione di uscita minima elevata = Margine di rumore elevato+Tensione di ingresso minima elevata

Minima alta tensione di ingresso

Partire Tensione di ingresso minima elevata = Tensione di uscita minima elevata-Margine di rumore elevato

Alto margine di rumore

Partire Margine di rumore elevato = Tensione di uscita minima elevata-Tensione di ingresso minima elevata

Tensione di ingresso massima bassa

Partire Massima tensione di ingresso bassa = Margine di rumore basso+Massima tensione di uscita bassa

Tensione di uscita massima bassa

Partire Massima tensione di uscita bassa = Massima tensione di ingresso bassa-Margine di rumore basso

Margine a basso rumore

Partire Margine di rumore basso = Massima tensione di ingresso bassa-Massima tensione di uscita bassa

Porta al potenziale del collezionista

Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Potenziale dal gate alla fonte

Partire Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale

Porta per drenare potenziale

Partire Porta per drenare potenziale = 2*Voltaggio da gate a canale-Potenziale dal gate alla fonte

Potenziale dal gate alla fonte Formula

Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale
V_gs = 2*V_gc-V_gd

Spiega perché il numero di ingressi di gate per i gate CMOS è solitamente limitato a quattro?

Più alto è il numero di stack, più lento sarà il cancello. Nelle porte NOR e NAND il numero di porte presenti nello stack è solitamente uguale al numero di ingressi più uno. Quindi gli input sono limitati a quattro.

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