Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal Rekenmachine

✖Electron Mean Free Path dat de gemiddelde afstand vertegenwoordigt die een elektron kan afleggen zonder verstrooiing met onzuiverheden, nederlaag of andere obstakels binnen het solid-state apparaat.ⓘ Elektron gemiddeld vrij pad [λ]			+10% -10%
✖De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter [k'_n]			+10% -10%
✖Afvoerstroom is de stroom die vloeit tussen de afvoer- en de bronaansluitingen van een veldeffecttransistor (FET), een type transistor dat gewoonlijk wordt gebruikt in elektronische circuits.ⓘ Afvoerstroom [i_d]			+10% -10%

✖De versterkingsfactor is een maatstaf voor de toename van het vermogen van een elektrisch signaal wanneer het door een apparaat gaat. Het wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de uitgangsamplitude of het vermogen en de ingangsamplitude.ⓘ Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal [A_f]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal

Formule

`"A"_{"f"} = 1/"λ"*sqrt((2*"k'"_{"n"})/"i"_{"d"})`

Voorbeeld

`"82.42043"=1/"2.78"*sqrt((2*"2.1A/V²")/"0.08mA")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf

Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Versterkingsfactor = 1/Elektron gemiddeld vrij pad*sqrt((2*Procestransconductantieparameter)/Afvoerstroom)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Versterkingsfactor - De versterkingsfactor is een maatstaf voor de toename van het vermogen van een elektrisch signaal wanneer het door een apparaat gaat. Het wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de uitgangsamplitude of het vermogen en de ingangsamplitude.
Elektron gemiddeld vrij pad - Electron Mean Free Path dat de gemiddelde afstand vertegenwoordigt die een elektron kan afleggen zonder verstrooiing met onzuiverheden, nederlaag of andere obstakels binnen het solid-state apparaat.
Procestransconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom is de stroom die vloeit tussen de afvoer- en de bronaansluitingen van een veldeffecttransistor (FET), een type transistor dat gewoonlijk wordt gebruikt in elektronische circuits.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektron gemiddeld vrij pad: 2.78 --> Geen conversie vereist
Procestransconductantieparameter: 2.1 Ampère per vierkante volt --> 2.1 Ampère per vierkante volt Geen conversie vereist
Afvoerstroom: 0.08 milliampère --> 8E-05 Ampère (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)

Evalueren ... ...

A_f = 82.4204261682705

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

82.4204261682705 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- Versterkingsfactor

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Kleine signaalanalyse » Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kleine signaalanalyse Rekenmachines

Kleine signaalspanningsversterking ten opzichte van ingangsweerstand

Gaan Spanningsversterking = (Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Zelfgeïnduceerde weerstand))*((Bron weerstand*Uitgangsweerstand)/(Bron weerstand+Uitgangsweerstand))/(1/Transconductantie+((Bron weerstand*Uitgangsweerstand)/(Bron weerstand+Uitgangsweerstand)))

Poort-naar-bronspanning met betrekking tot kleine signaalweerstand

Gaan Kritische spanning = Ingangsspanning*((1/Transconductantie)/((1/Transconductantie)*((Bron weerstand*Kleine signaalweerstand)/(Bron weerstand+Kleine signaalweerstand))))

Gemeenschappelijke afvoeruitgangsspanning in klein signaal

Gaan Uitgangsspanning = Transconductantie*Kritische spanning*((Bron weerstand*Kleine signaalweerstand)/(Bron weerstand+Kleine signaalweerstand))

Uitgangsspanning van klein signaal P-kanaal

Gaan Uitgangsspanning = Transconductantie*Bron-naar-poortspanning*((Uitgangsweerstand*Afvoerweerstand)/(Afvoerweerstand+Uitgangsweerstand))

Spanningsversterking voor klein signaal

Gaan Spanningsversterking = (Transconductantie*(1/((1/Belastingsweerstand)+(1/Afvoerweerstand))))/(1+(Transconductantie*Zelfgeïnduceerde weerstand))

Kleine signaalspanningsversterking met betrekking tot afvoerweerstand

Gaan Spanningsversterking = (Transconductantie*((Uitgangsweerstand *Afvoerweerstand)/(Uitgangsweerstand+Afvoerweerstand)))

Uitgangsstroom van klein signaal

Gaan Uitgangsstroom = (Transconductantie*Kritische spanning)*(Afvoerweerstand/(Belastingsweerstand+Afvoerweerstand))

Ingangsstroom van klein signaal

Gaan Ingangsstroom van klein signaal = (Kritische spanning*((1+Transconductantie*Zelfgeïnduceerde weerstand)/Zelfgeïnduceerde weerstand))

Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal

Gaan Versterkingsfactor = 1/Elektron gemiddeld vrij pad*sqrt((2*Procestransconductantieparameter)/Afvoerstroom)

Transconductantie bij kleine signaalparameters

Gaan Transconductantie = 2*Transconductantieparameter*(DC-component van poort-naar-bronspanning-Totale spanning)

Spanningsversterking met klein signaal

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)

Poort naar bronspanning in klein signaal

Gaan Kritische spanning = Ingangsspanning/(1+Zelfgeïnduceerde weerstand*Transconductantie)

Kleine signaaluitgangsspanning

Gaan Uitgangsspanning = Transconductantie*Bron-naar-poortspanning*Belastingsweerstand

Afvoerstroom van MOSFET Klein Signaal

Gaan Afvoerstroom = 1/(Elektron gemiddeld vrij pad*Uitgangsweerstand)

Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal

Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand

Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal Formule

Versterkingsfactor = 1/Elektron gemiddeld vrij pad*sqrt((2*Procestransconductantieparameter)/Afvoerstroom)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!