Afvoerstroom gegeven apparaatparameter: Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Afvoerstroom = 1/2*Transconductantie*Beeldverhouding*(Effectieve spanning-Drempelspanning)^2*(1+Apparaatparameter*Spanning tussen afvoer en bron)
Id = 1/2*Gm*WL*(Vov-Vth)^2*(1+VA*VDS)
Deze formule gebruikt 7 Variabelen
Variabelen gebruikt
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.
Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.
Beeldverhouding - Beeldverhouding is de verhouding tussen de breedte van het kanaal en de lengte van het kanaal.
Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - Effectieve spanning of overdrive-spanning is een overspanning over oxide boven thermische spanning wordt genoemd.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning van transistor is de minimale gate-naar-source-spanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.
Apparaatparameter - apparaatparameter is de parameter die wordt gebruikt in de berekening met betrekking tot BJT.
Spanning tussen afvoer en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen drain en source is een positieve spanning tussen drain en source, nadat een kanaal is geïnduceerd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Transconductantie: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Beeldverhouding: 8.75 --> Geen conversie vereist
Effectieve spanning: 25 Volt --> 25 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Geen conversie vereist
Apparaatparameter: 0.024 --> Geen conversie vereist
Spanning tussen afvoer en bron: 7.35 Volt --> 7.35 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Id = 1/2*Gm*WL*(Vov-Vth)^2*(1+VA*VDS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)
Evalueren ... ...
Id = 3.3661289025
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
3.3661289025 Ampère -->3366.1289025 milliampère (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
3366.1289025 3366.129 milliampère <-- Afvoerstroom
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

14 Basisstroom Rekenmachines

Basisstroom met verzadigingsstroom in DC
Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basiscollectorspanning/Thermische spanning)+Verzadiging Dampdruk*e^(Basiscollectorspanning/Thermische spanning)
Verzadigingsstroom met behulp van dopingconcentratie
Gaan Verzadigingsstroom = (Dwarsdoorsnede van basis-emitterovergang*[Charge-e]*Diffusiviteit van elektronen*(Intrinsieke dragerconcentratie)^2)/(Breedte van basisverbinding*Dopingconcentratie van base)
Kortsluitstroomwinst van BJT
Gaan Kortsluitstroomversterking = (Common-Emitter stroomversterking bij lage frequentie)/(1+Complexe frequentievariabele*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)*Ingangsweerstand)
Afvoerstroom gegeven apparaatparameter:
Gaan Afvoerstroom = 1/2*Transconductantie*Beeldverhouding*(Effectieve spanning-Drempelspanning)^2*(1+Apparaatparameter*Spanning tussen afvoer en bron)
Basisstroom 2 van BJT
Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*(e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning))
Basisstroom van PNP-transistor met behulp van verzadigingsstroom
Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)
Referentiestroom van BJT-spiegel
Gaan Referentiestroom = Collector Stroom+(2*Collector Stroom)/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter
Referentiestroom van BJT Current Mirror
Gaan Referentiestroom = (Voedingsspanning-Basis-emitterspanning)/Weerstand
Referentiestroom van BJT-spiegel gegeven collectorstroom
Gaan Referentiestroom = Collector Stroom*(1+2/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)
Basisstroom van PNP-transistor gegeven emitterstroom
Gaan Basisstroom = Zender Stroom/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)
Basisstroom van PNP-transistor met behulp van collectorstroom
Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter
Basisstroom 1 van BJT
Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter
Basisstroom van PNP-transistor met Common-Base Current Gain
Gaan Basisstroom = (1-Common-Base stroomversterking)*Zender Stroom
Totale basisstroom
Gaan Basisstroom = Basisstroom 1+Basisstroom 2

Afvoerstroom gegeven apparaatparameter: Formule

Afvoerstroom = 1/2*Transconductantie*Beeldverhouding*(Effectieve spanning-Drempelspanning)^2*(1+Apparaatparameter*Spanning tussen afvoer en bron)
Id = 1/2*Gm*WL*(Vov-Vth)^2*(1+VA*VDS)

Wat is afvoerstroom in MOSFET?

De afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met Vgs. Het omgekeerde van de helling van de log (Ids) versus Vgs-karakteristiek wordt gedefinieerd als de subdrempelhelling, S, en is een van de meest kritische prestatiestatistieken voor MOSFET's in logische toepassingen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!