Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor Rekenmachine

✖De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bronⓘ Beeldverhouding [WL]			+10% -10%
✖De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.ⓘ Spanning tussen poort en bron [V_GS]			+10% -10%
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%

✖Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.ⓘ Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor [I_ds]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Formule

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"}))^2`

Voorbeeld

`"29.39328mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.86V"-"modulus"("0.7V"))^2`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

modulus - De modulus van een getal is de rest wanneer dat getal wordt gedeeld door een ander getal., modulus

Variabelen gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.
Procestransconductantieparameter in PMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Beeldverhouding - Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bron
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantieparameter in PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Beeldverhouding: 6 --> Geen conversie vereist
Spanning tussen poort en bron: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2

Evalueren ... ...

I_ds = 0.02939328

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.02939328 Ampère -->29.39328 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

29.39328 milliampère <-- Verzadigingsafvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P-Channel-verbetering » Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 14 P-Channel-verbetering Rekenmachines

Totale afvoerstroom van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2*(1+Spanning tussen afvoer en bron/modulus(Vroege spanning))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Lichaamseffect bij PMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom van bron naar afvoer

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal)

Backgate-effectparameter in PMOS

Gaan Backgate-effectparameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Donor concentratie)/Oxide capaciteit

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Stroom in inversiekanaal van PMOS

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)

Inversielaaglading in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning)

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit

Gaan Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal

Overdrive-spanning van PMOS

Gaan Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)

Procestransconductantieparameter van PMOS

Gaan Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor Formule

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2

Wat is afvoerstroom in MOSFET?

De afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met Vgs. Het omgekeerde van de helling van de log (Ids) versus Vgs-karakteristiek wordt gedefinieerd als de subdrempelhelling, S, en is een van de meest kritische prestatiestatistieken voor MOSFET's in logische toepassingen.

Op welke manier stroomt de stroom in een PMOS?

In een NMOS zijn elektronen de ladingsdragers. Dus elektronen reizen van Source naar Drain (wat betekent dat de stroom gaat van Drain> Source.) In een PMOS-gaatje zitten de lading. Dus gaten reizen van Source naar Drain.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!