Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
gmp = ic/Vt
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
MOSFET primaire transconductantie - (Gemeten in Siemens) - MOSFET Primaire Transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning.
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Collectorstroom: 39.52 milliampère --> 0.03952 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
gmp = ic/Vt --> 0.03952/2
Evalueren ... ...
gmp = 0.01976
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
19.76 Millisiemens <-- MOSFET primaire transconductantie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Anshika Arya
Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

18 Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning
Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron
Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie
Gaan Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))
Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging
Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2
Ingangsspanning gegeven signaalspanning
Gaan Fundamentele componentspanning = (Eindige ingangsweerstand/(Eindige ingangsweerstand+Signaal weerstand))*Kleine signaalspanning
Transconductantieparameter van MOS-transistor
Gaan Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)
Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron
Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron
Afvoerstroom van transistor
Gaan Afvoerstroom = (Fundamentele componentspanning+Totale momentane afvoerspanning)/Afvoerweerstand
Totale momentane afvoerspanning
Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom
Ingangsspanning in transistor
Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning
Transconductantie van transistorversterkers
Gaan MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)
Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal
Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand
Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker
Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker
Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom
Uitgangsweerstand van Common Gate Circuit gegeven testspanning
Gaan Eindige uitgangsweerstand = Testspanning/Teststroom
DC-stroomversterking van versterker
Gaan DC-stroomversterking = Collectorstroom/Basisstroom
Versterkeringang van transistorversterker
Gaan Versterker ingang = Ingangsweerstand*Invoerstroom
Ingangsweerstand van Common-Gate Circuit
Gaan Ingangsweerstand = Testspanning/Teststroom
Teststroom van transistorversterker
Gaan Teststroom = Testspanning/Ingangsweerstand

18 CV-acties van gemeenschappelijke podiumversterkers Rekenmachines

Uitgangsspanning van gecontroleerde brontransistor
Gaan DC-component van poort-naar-bronspanning = (Spanningsversterking*Elektrische stroom-Transconductie van kortsluiting*Differentieel uitgangssignaal)*(1/Laatste weerstand+1/Weerstand van primaire wikkeling in secundaire)
Ingangsweerstand van Common-Base Circuit
Gaan Ingangsweerstand = (Zenderweerstand*(Eindige uitgangsweerstand+Belastingsweerstand))/(Eindige uitgangsweerstand+(Belastingsweerstand/(Collectorbasisstroomversterking+1)))
Uitgangsweerstand bij een andere afvoer van gecontroleerde brontransistor
Gaan Afvoerweerstand = Weerstand van secundaire wikkeling in primaire+2*Eindige weerstand+2*Eindige weerstand*MOSFET primaire transconductantie*Weerstand van secundaire wikkeling in primaire
Uitgangsweerstand van emitter-gedegenereerde CE-versterker:
Gaan Afvoerweerstand = Eindige uitgangsweerstand+(MOSFET primaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand)*(1/Zenderweerstand+1/Kleine signaalingangsweerstand)
Ingangsweerstand van gemeenschappelijke emitterversterker gegeven ingangsweerstand met klein signaal
Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/(Kleine signaalingangsweerstand+(Collectorbasisstroomversterking+1)*Zenderweerstand))^-1
Ingangsweerstand van Common-Emitter-versterker gegeven emitterweerstand
Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/((Totale weerstand+Zenderweerstand)*(Collectorbasisstroomversterking+1)))^-1
Uitgangsweerstand van CS-versterker met bronweerstand
Gaan Afvoerweerstand = Eindige uitgangsweerstand+Bron weerstand+(MOSFET primaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand*Bron weerstand)
Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron
Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron
Transconductantie in gemeenschappelijke bronversterker
Gaan MOSFET primaire transconductantie = Eenheidsversterkingsfrequentie*(Poort naar broncapaciteit+Capaciteit Poort naar afvoer)
Ingangsweerstand van gemeenschappelijke emitterversterker
Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1
Ingangsimpedantie van Common-Base-versterker
Gaan Ingangsimpedantie = (1/Zenderweerstand+1/Kleine signaalingangsweerstand)^(-1)
Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal
Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand
Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker
Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
Fundamentele spanning in gemeenschappelijke emitterversterker
Gaan Fundamentele componentspanning = Ingangsweerstand*Basisstroom
Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker
Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom
Belastingsspanning van CS-versterker
Gaan Laad spanning = Spanningsversterking*Ingangsspanning
Weerstand van zender in common-base-versterker
Gaan Zenderweerstand = Ingangsspanning/Zenderstroom
Emitterstroom van Common-Base-versterker
Gaan Zenderstroom = Ingangsspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker Formule

MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning
gmp = ic/Vt

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!