MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter Rekenmachine

✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.ⓘ Transconductantie [g_m]			+10% -10%
✖Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bronⓘ Beeldverhouding [WL]			+10% -10%
✖Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.ⓘ Gate-bronspanning [V_gs]			+10% -10%
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_th]			+10% -10%

✖De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter [k'_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter

Formule

`"k'"_{"n"} = "g"_{"m"}/("WL"*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"}))`

Voorbeeld

`"0.015625A/V²"="0.5mS"/("0.1"*("4V"-"3.68V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Procestransconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.
Beeldverhouding - Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bron
Gate-bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantie: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Beeldverhouding: 0.1 --> Geen conversie vereist
Gate-bronspanning: 4 Volt --> 4 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th)) --> 0.0005/(0.1*(4-3.68))

Evalueren ... ...

k'_n = 0.015625

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.015625 Ampère per vierkante volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.015625 Ampère per vierkante volt <-- Procestransconductantieparameter

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Transconductantie » MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< 16 Transconductantie Rekenmachines

MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning))

Transconductantie gegeven procestransconductantieparameter

Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Transconductantie gegeven afvoerstroom

Gaan Transconductantie = sqrt(2*Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Afvoerstroom)

MOSFET-transconductantie met behulp van procestransconductantieparameter en overdrive-spanning

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*Overdrive-spanning)

Transconductantie met behulp van Process Transconductance Parameter en Overdrive Voltage

Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Overdrive-spanning

Procestransconductantie gegeven Transconductantie en afvoerstroom

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie^2/(2*Beeldverhouding*Afvoerstroom)

Afvoerstroom gegeven procestransconductantie en transconductantie

Gaan Afvoerstroom = Transconductantie^2/(2*Beeldverhouding*Procestransconductantieparameter)

MOSFET Transconductantie gegeven Transconductance Parameter:

Gaan Transconductantie = Transconductantieparameter*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

MOSFET-transconductantieparameter met behulp van procestransconductantie

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding

Backgate-transconductantie

Gaan Backgate-transconductantie = Transconductantie*Spanningsefficiëntie

MOSFET Transconductantie gegeven Overdrive Voltage

Gaan Transconductantie = Transconductantieparameter*Overdrive-spanning

Procestransconductantieparameter van MOSFET

Gaan Transconductantieparameter = Transconductantie/Overdrive-spanning

MOSFET-transconductantie

Gaan Transconductantie = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning

Stroom afvoeren met behulp van transconductantie

Gaan Afvoerstroom = (Overdrive-spanning)*Transconductantie/2

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter Formule

Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!