Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz Kalkulator

✖Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.ⓘ Prąd nasycenia [i_s]			+10% -10%
✖Napięcie na złączu emitera bazy to napięcie przewodzenia pomiędzy bazą a emiterem tranzystora.ⓘ Napięcie na złączu emitera bazy [V_be]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%

✖Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.ⓘ Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz [i_c]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz

Formuła

`"i"_{"c"} = "i"_{"s"}*e^("V"_{"be"}/"V"_{"t"})`

Przykład

`"39.44194mA"="0.01mA"*e^("16.56V"/"2V")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)
Ta formuła używa 1 Stałe, 4 Zmienne

Używane stałe

e - Stała Napiera Wartość przyjęta jako 2.71828182845904523536028747135266249

Używane zmienne

Prąd kolektora - (Mierzone w Amper) - Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.
Prąd nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.
Napięcie na złączu emitera bazy - (Mierzone w Wolt) - Napięcie na złączu emitera bazy to napięcie przewodzenia pomiędzy bazą a emiterem tranzystora.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd nasycenia: 0.01 Miliamper --> 1E-05 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie na złączu emitera bazy: 16.56 Wolt --> 16.56 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2 Wolt --> 2 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_c = i_s*e^(V_be/V_t) --> 1E-05*e^(16.56/2)

Ocenianie ... ...

i_c = 0.039441943819803

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.039441943819803 Amper -->39.441943819803 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

39.441943819803 ≈ 39.44194 Miliamper <-- Prąd kolektora

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Naśladowca emitera » Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

< 10+ Naśladowca emitera Kalkulatory

Rezystancja wyjściowa wtórnika emitera

Iść Skończony opór = (1/Odporność na obciążenie+1/Małe napięcie sygnału+1/Rezystancja emitera)+(1/Impedancja podstawowa+1/Rezystancja sygnału)/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz

Iść Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Prąd nasycenia wtórnika emitera

Iść Prąd nasycenia = Prąd kolektora/e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Rezystancja wejściowa wtórnika emitera

Iść Rezystancja wejściowa = 1/(1/Rezystancja sygnału w bazie+1/Odporność podstawowa)

Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera

Iść Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera

Całkowita rezystancja emitera wtórnika emitera

Iść Rezystancja emitera = Odporność podstawowa/Stała wysokiej częstotliwości

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora

Prąd kolektora tranzystora wtórnika emitera

Iść Prąd kolektora = Wczesne napięcie/Skończona rezystancja wyjściowa

Rezystancja wejściowa wzmacniacza tranzystorowego

Iść Rezystancja wejściowa = Wejście wzmacniacza/Prąd wejściowy

Napięcie wejściowe wtórnika emitera

Iść Napięcie emitera = Napięcie podstawowe-0.7

< 15 Wielostopniowe wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia w bipolarnym kaskodzie w obwodzie otwartym

Iść Wzmocnienie napięcia bipolarnego Cascode = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Transkonduktancja wtórna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Rezystancja wyjściowa wtórnika emitera

Iść Skończony opór = (1/Odporność na obciążenie+1/Małe napięcie sygnału+1/Rezystancja emitera)+(1/Impedancja podstawowa+1/Rezystancja sygnału)/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)

Rezystancja drenażu wzmacniacza Cascode

Iść Odporność na drenaż = (Wzmocnienie napięcia wyjściowego/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa))

Wzmocnienie napięcia wyjściowego wzmacniacza kaskadowego MOS

Iść Wzmocnienie napięcia wyjściowego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz

Iść Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Prąd nasycenia wtórnika emitera

Iść Prąd nasycenia = Prąd kolektora/e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Równoważna rezystancja wzmacniacza Cascode

Iść Opór pomiędzy drenem a ziemią = (1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Rezystancja wejściowa)^-1

Wzmocnienie ujemnego napięcia wzmacniacza Cascode

Iść Ujemne wzmocnienie napięcia = -(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią)

Rezystancja wejściowa wtórnika emitera

Iść Rezystancja wejściowa = 1/(1/Rezystancja sygnału w bazie+1/Odporność podstawowa)

Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera

Iść Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera

Całkowita rezystancja emitera wtórnika emitera

Iść Rezystancja emitera = Odporność podstawowa/Stała wysokiej częstotliwości

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora

Prąd kolektora tranzystora wtórnika emitera

Iść Prąd kolektora = Wczesne napięcie/Skończona rezystancja wyjściowa

Rezystancja wejściowa wzmacniacza tranzystorowego

Iść Rezystancja wejściowa = Wejście wzmacniacza/Prąd wejściowy

Napięcie wejściowe wtórnika emitera

Iść Napięcie emitera = Napięcie podstawowe-0.7

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz Formułę

Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)

Co to jest region aktywny?

Region aktywny to region, w którym tranzystory mają wiele zastosowań. Nazywa się to również regionem liniowym. Tranzystor znajdujący się w tym regionie działa lepiej jako wzmacniacz. Ten region leży pomiędzy nasyceniem a odcięciem. Tranzystor działa w obszarze nieaktywnym, gdy złącze emitera jest spolaryzowane do przodu, a złącze kolektora jest spolaryzowane do tyłu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!