Opróżnij prąd w linii ładunkowej Kalkulator

✖Napięcie zasilania to poziom napięcia dostarczanego do urządzenia elektronicznego i jest to krytyczny parametr, który wpływa na wydajność i niezawodność urządzenia.ⓘ Napięcie zasilania [V_dd]			+10% -10%
✖Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.ⓘ Napięcie źródła drenażu [V_ds]			+10% -10%
✖Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrzna połączona pomiędzy zaciskiem drenu MOSFET a napięciem zasilania.ⓘ Odporność na obciążenie [R_L]			+10% -10%

✖Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.ⓘ Opróżnij prąd w linii ładunkowej [i_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Opróżnij prąd w linii ładunkowej

Formuła

`"i"_{"d"} = ("V"_{"dd"}-"V"_{"ds"})/"R"_{"L"}`

Przykład

`"0.071429mA"=("8.45V"-"8.43V")/"0.28kΩ"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF

Opróżnij prąd w linii ładunkowej Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = (Napięcie zasilania-Napięcie źródła drenażu)/Odporność na obciążenie
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania to poziom napięcia dostarczanego do urządzenia elektronicznego i jest to krytyczny parametr, który wpływa na wydajność i niezawodność urządzenia.
Napięcie źródła drenażu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.
Odporność na obciążenie - (Mierzone w Om) - Rezystancja obciążenia to rezystancja zewnętrzna połączona pomiędzy zaciskiem drenu MOSFET a napięciem zasilania.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie zasilania: 8.45 Wolt --> 8.45 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła drenażu: 8.43 Wolt --> 8.43 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Odporność na obciążenie: 0.28 Kilohm --> 280 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_d = (V_dd-V_ds)/R_L --> (8.45-8.43)/280

Ocenianie ... ...

i_d = 7.14285714285699E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

7.14285714285699E-05 Amper -->0.0714285714285699 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.0714285714285699 ≈ 0.071429 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Aktualny » Opróżnij prąd w linii ładunkowej

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 12 Aktualny Kalkulatory

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-(Różnicowy sygnał wejściowy)^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-Różnicowy sygnał wejściowy^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Chwilowy prąd drenu

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie+Napięcie krytyczne)^2

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2

Prąd nasycenia drenu tranzystora MOSFET

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Efektywne napięcie)^2

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy = (Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania)*(Różnicowy sygnał wejściowy/2)

Chwilowy prąd drenu w odniesieniu do składowej stałej Vgs

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*((Napięcie krytyczne-Całkowite napięcie)^2)

Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET

Iść Całkowity prąd = Sygnał przyrostowy/((1/Transkonduktancja)+(2*Rezystancja wyjściowa))

Opróżnij prąd w linii ładunkowej

Iść Prąd spustowy = (Napięcie zasilania-Napięcie źródła drenażu)/Odporność na obciążenie

Prąd zwarciowy MOSFET

Iść Prąd wyjściowy = Transkonduktancja*Napięcie bramka-źródło

Opróżnij prąd w linii ładunkowej Formułę

Prąd spustowy = (Napięcie zasilania-Napięcie źródła drenażu)/Odporność na obciążenie
i_d = (V_dd-V_ds)/R_L

Co to jest prąd drenu w MOSFET?

Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z V.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!