Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS Kalkulator

✖Parametr procesu transkonduktancji w PMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródłaⓘ Współczynnik proporcji [WL]			+10% -10%
✖Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.ⓘ Napięcie między bramką a źródłem [V_GS]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%

✖Prąd drenu nasycenia poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.ⓘ Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS [I_ds]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

Formuła

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"}))^2`

Przykład

`"29.39328mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.86V"-"modulus"("0.7V"))^2`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

modulus - Moduł liczby to reszta z dzielenia tej liczby przez inną liczbę., modulus

Używane zmienne

Prąd drenu nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu nasycenia poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z napięciem bramki do źródła.
Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS - (Mierzone w Siemens) - Parametr procesu transkonduktancji w PMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Współczynnik proporcji - Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródła
Napięcie między bramką a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie między bramką a źródłem tranzystora polowego (FET) jest znane jako napięcie bramka-źródło (VGS). Jest to ważny parametr wpływający na działanie tranzystora FET.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Współczynnik proporcji: 6 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między bramką a źródłem: 2.86 Wolt --> 2.86 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2

Ocenianie ... ...

I_ds = 0.02939328

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.02939328 Amper -->29.39328 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

29.39328 Miliamper <-- Prąd drenu nasycenia

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału P » Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 14 Ulepszenie kanału P Kalkulatory

Całkowity prąd drenu tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2*(1+Napięcie między drenem a źródłem/modulus(Wczesne napięcie))

Prąd spustowy w regionie triody tranzystora PMOS

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*((Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))*Napięcie między drenem a źródłem-1/2*(Napięcie między drenem a źródłem)^2)

Efekt ciała w PMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Prąd drenażowy w regionie triody tranzystora PMOS, biorąc pod uwagę Vsd

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(modulus(Efektywne napięcie)-1/2*Napięcie między drenem a źródłem)*Napięcie między drenem a źródłem

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia))^2

Prąd spustowy od źródła do drenu

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale)

Parametr efektu backgate w PMOS

Iść Parametr efektu backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Koncentracja dawców)/Pojemność tlenkowa

Ładunek warstwy inwersji w warunkach zwarcia w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia-Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd odpływowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS podanego Vov

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie)^2

Inversion Layer Charge w PMOS

Iść Opłata warstwy inwersyjnej = -Pojemność tlenkowa*(Napięcie między bramką a źródłem-Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość skrzyżowania*Opłata warstwy inwersyjnej*Prędkość dryfu inwersji)

Napięcie przesterowania PMOS

Iść Efektywne napięcie = Napięcie między bramką a źródłem-modulus(Próg napięcia)

Prąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilności

Iść Prędkość dryfu inwersji = Ruchliwość otworów w kanale*Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale

Procesowy parametr transkonduktancji PMOS

Iść Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS = Ruchliwość otworów w kanale*Pojemność tlenkowa

Prąd spustowy w regionie nasycenia tranzystora PMOS Formułę

Co to jest prąd drenu w tranzystorze MOSFET?

Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z Vgs. Odwrotność nachylenia krzywej logicznej (Ids) względem charakterystyki Vgs jest definiowana jako nachylenie podprogowe, S i jest jedną z najbardziej krytycznych metryk wydajności dla tranzystorów MOSFET w zastosowaniach logicznych.

W jaki sposób prąd płynie w PMOS?

W NMOS nośnikami ładunku są elektrony. Tak więc elektrony przemieszczają się ze źródła do odpływu (co oznacza, że prąd płynie z drenu> źródła). W PMOS ładunek przenosi dziury. Zatem dziury przemieszczają się od źródła do drenażu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!