✖Parametr procesu transkonduktancji w PMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS [k'p] | | | +10% -10% |
✖Napięcie skuteczne to równoważne napięcie prądu stałego, które spowodowałoby takie samo rozproszenie mocy w obciążeniu rezystancyjnym, jak mierzone napięcie prądu przemiennego.ⓘ Efektywne napięcie [Vov] | | | +10% -10% |
✖Napięcie między drenem a źródłem jest kluczowym parametrem w działaniu tranzystora polowego (FET) i jest często określane jako „napięcie dren-źródło” lub VDS.ⓘ Napięcie między drenem a źródłem [VDS] | | | +10% -10% |