Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI

Konstrukcja analogowa VLSI

✖Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność bramki [C_g]			+10% -10%
✖Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.ⓘ Pojemność warstwy tlenku bramki [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość bramki odnosi się do odległości pomiędzy krawędzią metalowej elektrody bramki a sąsiadującym materiałem półprzewodnikowym w CMOS.ⓘ Szerokość bramy [W_g]			+10% -10%

✖Długość bramy to pomiar lub zasięg czegoś od końca do końca.ⓘ Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki [L_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Formuła

`"L"_{"g"} = "C"_{"g"}/("C"_{"ox"}*"W"_{"g"})`

Przykład

`"7.011663mm"="59.61μF"/("29.83μF/mm²"*"0.285mm")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Długość bramy - (Mierzone w Metr) - Długość bramy to pomiar lub zasięg czegoś od końca do końca.
Pojemność bramki - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki to pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Pojemność warstwy tlenku bramki - (Mierzone w Farad na metr kwadratowy) - Pojemność warstwy tlenku bramki definiuje się jako pojemność końcówki bramki tranzystora polowego.
Szerokość bramy - (Mierzone w Metr) - Szerokość bramki odnosi się do odległości pomiędzy krawędzią metalowej elektrody bramki a sąsiadującym materiałem półprzewodnikowym w CMOS.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność bramki: 59.61 Mikrofarad --> 5.961E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność warstwy tlenku bramki: 29.83 Mikrofarad na milimetr kwadratowy --> 29.83 Farad na metr kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość bramy: 0.285 Milimetr --> 0.000285 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Ocenianie ... ...

L_g = 0.00701166257917674

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00701166257917674 Metr -->7.01166257917674 Milimetr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Milimetr <-- Długość bramy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 25 Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania zbiorczego VLSI

Iść Gęstość ładunku w obszarze wyczerpania zbiorczego = -(1-((Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem+Boczny zasięg obszaru wyczerpania z drenażem)/(2*Długość kanału)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Stężenie akceptora*abs(2*Potencjał powierzchni))

Współczynnik efektu ciała

Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Głębokość wyczerpania złącza PN ze źródłem VLSI

Iść Głębokość wyczerpania złącza Pn ze źródłem = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Złącze wbudowane w napięcie)/([Charge-e]*Stężenie akceptora))

Złącze wbudowane napięcie VLSI

Iść Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)

Całkowita pojemność pasożytnicza źródła

Iść Źródło pojemności pasożytniczej = (Pojemność pomiędzy złączem ciała i źródła*Obszar dyfuzji źródła)+(Pojemność pomiędzy połączeniem korpusu i ścianą boczną*Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji)

Prąd nasycenia krótkiego kanału VLSI

Iść Prąd nasycenia krótkiego kanału = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Napięcie źródła drenażu nasycenia

Prąd złącza

Iść Prąd złącza = (Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd bramki)

Potencjał powierzchniowy

Iść Potencjał powierzchni = 2*Różnica potencjałów ciała źródłowego*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja)

Współczynnik DIBL

Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Napięcie progowe, gdy źródło ma potencjał ciała

Iść Napięcie progowe DIBL = Współczynnik DIBL*Drenaż do potencjału źródłowego+Próg napięcia

Nachylenie podprogowe

Iść Nachylenie podprogu = Różnica potencjałów ciała źródłowego*Współczynnik DIBL*ln(10)

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Iść Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)

Pojemność tlenkowa bramki

Iść Pojemność warstwy tlenku bramki = Pojemność bramki/(Szerokość bramy*Długość bramy)

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu = Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Współczynnik skalowania

Pojemność bramki

Iść Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Opłata za kanał

Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Próg napięcia

Iść Próg napięcia = Napięcie bramki do kanału-(Opłata za kanał/Pojemność bramki)

Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu = Grubość tlenku bramki/Współczynnik skalowania

Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu = Głębokość połączenia/Współczynnik skalowania

Krytyczne napięcie

Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Szerokość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Szerokość kanału po pełnym skalowaniu = Szerokość kanału/Współczynnik skalowania

Wewnętrzna pojemność bramki

Iść Pojemność nakładania się bramki MOS = Pojemność bramki MOS*Szerokość przejścia

Długość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Długość kanału po pełnym skalowaniu = Długość kanału/Współczynnik skalowania

Mobilność w Mosfecie

Iść Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki

K-Prime

Iść K. Premier = Mobilność w MOSFET-ie*Pojemność warstwy tlenku bramki

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki Formułę

Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

Jakie są zastosowania warstwy tlenkowej w VLSI?

Warstwa tlenku ma kluczowe zastosowania w urządzeniach półprzewodnikowych. Służy jako izolator bramki w tranzystorach MOS, umożliwiając kontrolę przepływu elektronów. Dodatkowo pełni funkcję warstwy izolacji elektrycznej pomiędzy różnymi komponentami i połączeniami, zapewniając niezawodne i wydajne działanie układów scalonych w zastosowaniach takich jak mikroprocesory, urządzenia pamięci i czujniki.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!