Kalkulator A do Z

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach Kalkulator

Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
✖Koncentracja nośnika wewnętrznego to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.ⓘ Wewnętrzne stężenie nośnika [ni]
+10%
-10%
✖Koncentracja nośników mniejszościowych to liczba nośników w paśmie walencyjnym bez zewnętrznego odchylenia.ⓘ Koncentracja przewoźników mniejszościowych [p0]
+10%
-10%
✖Koncentracja większości nośnych to liczba nośnych w paśmie przewodnictwa bez zewnętrznego odchylenia.ⓘ Stężenie większości nośników w półprzewodnikach [n0]
⎘ Kopiuj
👎
Formuła
✖

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach

Formuła
`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Przykład
`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
n0 = ni^2/p0
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Koncentracja większości nośników - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja większości nośnych to liczba nośnych w paśmie przewodnictwa bez zewnętrznego odchylenia.
Wewnętrzne stężenie nośnika - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja nośnika wewnętrznego to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.
Koncentracja przewoźników mniejszościowych - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja nośników mniejszościowych to liczba nośników w paśmie walencyjnym bez zewnętrznego odchylenia.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Wewnętrzne stężenie nośnika: 120000000 1 na metr sześcienny --> 120000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Koncentracja przewoźników mniejszościowych: 91000000 1 na metr sześcienny --> 91000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
n0 = ni^2/p0 --> 120000000^2/91000000
Ocenianie ... ...
n0 = 158241758.241758
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
158241758.241758 1 na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 na metr sześcienny <-- Koncentracja większości nośników
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj -
Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Stężenie większości nośników w półprzewodnikach

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach
Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca
Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))
Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P
Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N
Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
Długość dyfuzji elektronów
Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)
Pasmo energetyczne
Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)
Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p
Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Stężenie większości nośników w półprzewodnikach
Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników
Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2
Mobilność nośników ładunku
Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego
Gęstość prądu dryfu
Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego
Pole elektryczne wywołane napięciem Halla
Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika
Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego
Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach Formułę

Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
n0 = ni^2/p0

Czym jest prawo zbiorowego działania?

W półprzewodniku znajdującym się w równowadze termicznej (w stałej temperaturze) iloczyn dziur i elektronów jest zawsze stały i równy kwadratowi wewnętrznego półprzewodnika.

About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2016-2024 A softusvista inc. venture!



Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!