Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie
Vth = Vgs-Veff
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Efektywne napięcie - (Mierzone w Wolt) - Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Efektywne napięcie: 1.7 Wolt --> 1.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Ocenianie ... ...
Vth = 2.3
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
2.3 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
2.3 Wolt <-- Próg napięcia
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

20 Napięcie Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła
Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)
Napięcie wyjściowe wspólnej bramki
Iść Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))
Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym
Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))
Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym
Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+sqrt((2*Prąd polaryzacji DC)/(Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji))
Źródło napięcia wejściowego
Iść Źródło napięcia wejściowego = Napięcie wejściowe*(Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))
Napięcie wejściowe bramka-źródło
Iść Napięcie krytyczne = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła)) *Napięcie wejściowe
Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym
Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym
Iść Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET
Iść Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia
Iść Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))
Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego
Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa)
Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET
Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
Napięcie na drenie Q2 w MOSFET
Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET
Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia
Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania
Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie
Napięcie przesterowania
Iść Napięcie przesterowania = (2*Prąd spustowy)/Transkonduktancja
Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET
Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)
Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET
Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)
Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz
Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie
Napięcie progowe MOSFET-u
Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz Formułę

Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie
Vth = Vgs-Veff

Jak MOSFET działa jako wzmacniacz?

Niewielka zmiana napięcia bramki powoduje dużą zmianę prądu drenu, jak w JFET. Fakt ten sprawia, że MOSFET jest w stanie podnieść siłę słabego sygnału; działając w ten sposób jako wzmacniacz. Podczas dodatniego półokresu sygnału, dodatnie napięcie na bramce rośnie i wytwarza tryb wzmocnienia.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!