Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia Kalkulator

✖Całkowity prąd to termin używany w elektrotechnice i fizyce w odniesieniu do sumy wszystkich prądów elektrycznych przepływających przez określony punkt obwodu lub przewodnika.ⓘ Całkowity prąd [I_t]			+10% -10%
✖Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.ⓘ Sygnał wejściowy trybu wspólnego [V_cin]			+10% -10%
✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia [g_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Formuła

`"g"_{"m"} = "I"_{"t"}/("V"_{"cin"}-(2*"I"_{"t"}*"R"_{"out"}))`

Przykład

`"0.5mS"="7.7mA"/("84.7V"-(2*"7.7mA"*"4.5kΩ"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))
g_m = I_t/(V_cin-(2*I_t*R_out))
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Całkowity prąd - (Mierzone w Amper) - Całkowity prąd to termin używany w elektrotechnice i fizyce w odniesieniu do sumy wszystkich prądów elektrycznych przepływających przez określony punkt obwodu lub przewodnika.
Sygnał wejściowy trybu wspólnego - (Mierzone w Wolt) - Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Całkowity prąd: 7.7 Miliamper --> 0.0077 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Sygnał wejściowy trybu wspólnego: 84.7 Wolt --> 84.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Rezystancja wyjściowa: 4.5 Kilohm --> 4500 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_m = I_t/(V_cin-(2*I_t*R_out)) --> 0.0077/(84.7-(2*0.0077*4500))

Ocenianie ... ...

g_m = 0.0005

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.5 Millisiemens <-- Transkonduktancja

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Napięcie Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Iść Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+sqrt((2*Prąd polaryzacji DC)/(Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji))

Źródło napięcia wejściowego

Iść Źródło napięcia wejściowego = Napięcie wejściowe*(Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))

Napięcie wejściowe bramka-źródło

Iść Napięcie krytyczne = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))*Napięcie wejściowe

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Iść Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Iść Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))

Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa)

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na drenie Q2 w MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie

Napięcie przesterowania

Iść Napięcie przesterowania = (2*Prąd spustowy)/Transkonduktancja

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia Formułę

Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))
g_m = I_t/(V_cin-(2*I_t*R_out))

Jak MOSFET działa jako wzmacniacz?

Niewielka zmiana napięcia bramki powoduje dużą zmianę prądu drenu, jak w JFET. Fakt ten sprawia, że MOSFET jest w stanie podnieść siłę słabego sygnału; działając w ten sposób jako wzmacniacz. Podczas dodatniego półokresu sygnału, dodatnie napięcie na bramce rośnie i wytwarza tryb wzmocnienia.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!