Corrente de fuga do coletor para o emissor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de Fuga do Coletor Emissor = (Fator de transporte de base+1)*Corrente de fuga da base do coletor
ICEO = (β+1)*Icbo
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de Fuga do Coletor Emissor - (Medido em Ampere) - A corrente de fuga do emissor do coletor é uma pequena corrente de coletor que flui se a base estiver em circuito aberto e o coletor for polarizado inversamente em relação ao emissor.
Fator de transporte de base - O fator de transporte de base é definido como o fator de corrente de base necessário para transferir a corrente do emissor para o coletor do transistor BJT.
Corrente de fuga da base do coletor - (Medido em Ampere) - A corrente de fuga de base do coletor é uma pequena corrente de coletor que flui se o emissor estiver em circuito aberto e a junção coletor-base for polarizada inversamente.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Fator de transporte de base: 2.5 --> Nenhuma conversão necessária
Corrente de fuga da base do coletor: 0.34 Miliamperes --> 0.00034 Ampere (Verifique a conversão aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ICEO = (β+1)*Icbo --> (2.5+1)*0.00034
Avaliando ... ...
ICEO = 0.00119
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00119 Ampere -->1.19 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
1.19 Miliamperes <-- Corrente de Fuga do Coletor Emissor
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!
Verificado por Equipe Softusvista
Escritório Softusvista (Pune), Índia
Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

13 Parâmetros Operacionais do Transistor Calculadoras

Drenar Corrente
Vai Drenar Corrente = Mobilidade do Elétron*Capacitância de óxido de portão*(Largura da junção do portão/Comprimento do portão)*(Tensão da fonte do portão- Tensão de limiar)*Tensão de saturação da fonte de dreno
Eficiência do Emissor
Vai Eficiência do Emissor = Corrente de difusão de elétrons/(Corrente de difusão de elétrons+Corrente de Difusão do Furo)
Corrente base usando fator de amplificação de corrente
Vai Corrente base = corrente do emissor*(1-Fator de amplificação atual)-Corrente de fuga da base do coletor
Tensão Coletor-Emissor
Vai Tensão Coletor Emissor = Tensão Coletor Comum-Coletor atual*Resistência do Coletor
Corrente de fuga do coletor para o emissor
Vai Corrente de Fuga do Coletor Emissor = (Fator de transporte de base+1)*Corrente de fuga da base do coletor
Fator de amplificação atual usando fator de transporte de base
Vai Fator de amplificação atual = Fator de transporte de base/(Fator de transporte de base+1)
Corrente do Coletor usando Fator de Amplificação de Corrente
Vai Coletor atual = Fator de amplificação atual*corrente do emissor
Fator de amplificação atual
Vai Fator de amplificação atual = Coletor atual/corrente do emissor
Corrente do Coletor usando o Fator de Transporte de Base
Vai Coletor atual = Fator de transporte de base*Corrente base
Fator de transporte básico
Vai Fator de transporte de base = Coletor atual/Corrente base
Corrente de Emissor
Vai corrente do emissor = Corrente base+Coletor atual
Ganho de Corrente do Coletor Comum
Vai Ganho de Corrente do Coletor Comum = Fator de transporte de base+1
Resistência Dinâmica do Emissor
Vai Resistência Dinâmica do Emissor = 0.026/corrente do emissor

Corrente de fuga do coletor para o emissor Fórmula

Corrente de Fuga do Coletor Emissor = (Fator de transporte de base+1)*Corrente de fuga da base do coletor
ICEO = (β+1)*Icbo

Como a corrente de fuga do coletor para o emissor é obtida?

Para a configuração do emissor comum do transistor com a junção base emissor polarizada para frente e a junção base coletor polarizada reversamente, a parte da corrente do emissor que atinge o coletor é IC - ICEO (corrente do coletor para o emissor). Assim, a corrente de fuga é levada em consideração e forma-se uma expressão de que a corrente de fuga coletor-emissor na configuração de emissor comum é (β 1) vezes maior do que na configuração de base comum.

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