Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Ids = 1/2*k'p*WL*(VGS-modulus(VT))^2
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis
Funções usadas
modulus - Der Modul einer Zahl ist der Rest, wenn diese Zahl durch eine andere Zahl geteilt wird., modulus
Variáveis Usadas
Corrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS: 2.1 Millisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 6 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ids = 1/2*k'p*WL*(VGS-modulus(VT))^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2
Avaliando ... ...
Ids = 0.02939328
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.02939328 Ampere -->29.39328 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
29.39328 Miliamperes <-- Corrente de drenagem de saturação
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS
Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS
Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)
Efeito corporal em PMOS
Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd
Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS
Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Parâmetro de efeito Backgate em PMOS
Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido
Corrente de dreno da fonte para o dreno
Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)
Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS
Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)
Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov
Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2
Corrente no canal de inversão do PMOS
Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)
Carga da Camada de Inversão em PMOS
Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)
Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade
Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal
Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS
Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido
Tensão Overdrive do PMOS
Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS Fórmula

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Ids = 1/2*k'p*WL*(VGS-modulus(VT))^2

O que é dreno de corrente no MOSFET?

A corrente de drenagem abaixo da tensão limite é definida como a corrente subliminar e varia exponencialmente com Vgs. A recíproca da inclinação do log (Ids) vs. característica Vgs é definida como a inclinação do sublimiar, S, e é uma das métricas de desempenho mais críticas para MOSFETs em aplicativos lógicos.

De que maneira a corrente flui em um PMOS?

Em um NMOS, os elétrons são os portadores de carga. Assim, os elétrons viajam da Fonte para o Dreno (o que significa que a corrente vai de Dreno> Fonte). Em um PMOS, os buracos são os portadores de carga. Assim, os buracos viajam da Fonte para o Dreno.

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