Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores Calculadora

↳

Eletrônicos

Ciência de materiais

Civil

Elétrico

Eletrônica e Instrumentação

Engenharia de Produção

Engenheiro químico

Mecânico

⤿

Características do semicondutor

Características do Diodo

Características do portador de carga

Parâmetros Eletrostáticos

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.ⓘ Concentração de Portadores Intrínsecos [n_i]			+10% -10%
✖A concentração de portadores minoritários é o número de portadores na banda de valência sem viés aplicado externamente.ⓘ Concentração de portadores minoritários [p₀]			+10% -10%

✖A concentração de portadores majoritários é o número de portadores na banda de condução sem viés aplicado externamente.ⓘ Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores [n₀]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Fórmula

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Exemplo

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Características do semicondutor Fórmulas PDF

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
n₀ = n_i^2/p₀
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Concentração de portadores majoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores majoritários é o número de portadores na banda de condução sem viés aplicado externamente.
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Concentração de portadores minoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores minoritários é o número de portadores na banda de valência sem viés aplicado externamente.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Portadores Intrínsecos: 120000000 1 por metro cúbico --> 120000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de portadores minoritários: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Avaliando ... ...

n₀ = 158241758.241758

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

158241758.241758 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 por metro cúbico <-- Concentração de portadores majoritários

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » EDC » Características do semicondutor » Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 13 Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores

Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)

Função de Distribuição de Fermi Dirac

Vai Função de Distribuição de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nível Fermi de Energia-Nível Fermi de Energia)/([BoltZ]*Temperatura)))

Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron

Comprimento de difusão de elétrons

Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)

Gap de banda de energia

Vai Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)

Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2

Densidade de corrente de deriva

Vai Densidade de corrente de deriva = Densidade atual dos furos+Densidade de Corrente Eletrônica

Mobilidade de Portadores de Carga

Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico

Tensão de saturação usando tensão limite

Vai Tensão de saturação = Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar

Campo elétrico devido à tensão Hall

Vai Campo Elétrico Hall = Tensão Hall/Largura do Condutor

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores Fórmula

Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários
n₀ = n_i^2/p₀

O que é uma lei de ação de massa?

Em um semicondutor em equilíbrio térmico (em temperatura constante), o produto dos buracos e dos elétrons é sempre constante e igual ao quadrado do semicondutor intrínseco.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!