Corrente de saturação usando concentração de dopagem Calculadora

✖A área da seção transversal da junção base-emissor é a largura na direção perpendicular à página.ⓘ Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor [A_E]			+10% -10%
✖A difusividade de elétrons é a corrente de difusão é uma corrente em um semicondutor causada pela difusão de portadores de carga (buracos e/ou elétrons).ⓘ Difusividade de elétrons [D_n]			+10% -10%
✖A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.ⓘ Concentração de Portadores Intrínsecos [n_i1]			+10% -10%
✖Largura da junção de base é o parâmetro que indica a largura da junção de base de qualquer elemento eletrônico analógico.ⓘ Largura da junção da base [W_base]			+10% -10%
✖A concentração de Dopagem da Base é o número de impurezas adicionadas à base.ⓘ Dopagem Concentração de Base [N_B]			+10% -10%

✖Corrente de saturação é a densidade de corrente de fuga do diodo na ausência de luz. É um parâmetro importante que diferencia um diodo de outro.ⓘ Corrente de saturação usando concentração de dopagem [I_sat]

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Fórmula

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Corrente de saturação usando concentração de dopagem

Fórmula

`"I"_{"sat"} = ("A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*("n"_{"i1"})^2)/("W"_{"base"}*"N"_{"B"})`

Exemplo

`"2.7E^-12mA"=("8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*("1E5/m³")^2)/("0.002m"*"19/m³")`

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Corrente de saturação usando concentração de dopagem Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de saturação = (Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor*[Charge-e]*Difusividade de elétrons*(Concentração de Portadores Intrínsecos)^2)/(Largura da junção da base*Dopagem Concentração de Base)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 6 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Variáveis Usadas

Corrente de saturação - (Medido em Ampere) - Corrente de saturação é a densidade de corrente de fuga do diodo na ausência de luz. É um parâmetro importante que diferencia um diodo de outro.
Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor - (Medido em Metro quadrado) - A área da seção transversal da junção base-emissor é a largura na direção perpendicular à página.
Difusividade de elétrons - (Medido em Metro quadrado por segundo) - A difusividade de elétrons é a corrente de difusão é uma corrente em um semicondutor causada pela difusão de portadores de carga (buracos e/ou elétrons).
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Largura da junção da base - (Medido em Metro) - Largura da junção de base é o parâmetro que indica a largura da junção de base de qualquer elemento eletrônico analógico.
Dopagem Concentração de Base - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de Dopagem da Base é o número de impurezas adicionadas à base.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor: 8 Praça centímetro --> 0.0008 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Difusividade de elétrons: 0.8 Centímetro quadrado por segundo --> 8E-05 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão aqui)
Concentração de Portadores Intrínsecos: 100000 1 por metro cúbico --> 100000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Largura da junção da base: 0.002 Metro --> 0.002 Metro Nenhuma conversão necessária
Dopagem Concentração de Base: 19 1 por metro cúbico --> 19 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Avaliando ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.69840272842105E-15 Ampere -->2.69840272842105E-12 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Miliamperes <-- Corrente de saturação

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 14 Corrente Base Calculadoras

Corrente de base usando corrente de saturação em CC

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)+Pressão de vapor de saturação*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)

Corrente de saturação usando concentração de dopagem

Vai Corrente de saturação = (Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor*[Charge-e]*Difusividade de elétrons*(Concentração de Portadores Intrínsecos)^2)/(Largura da junção da base*Dopagem Concentração de Base)

Ganho de corrente de curto-circuito do BJT

Vai Ganho de corrente de curto-circuito = (Ganho de corrente do emissor comum em baixa frequência)/(1+Variável de frequência complexa*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)*Resistência de entrada)

Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo

Vai Drenar Corrente = 1/2*Transcondutância*Proporção da tela*(Tensão efetiva-Tensão de limiar)^2*(1+Parâmetro do dispositivo*Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente Base 2 do BJT

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*(e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica))

Corrente de base do transistor PNP usando corrente de saturação

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Corrente de Referência do Espelho BJT

Vai Corrente de referência = Coletor atual+(2*Coletor atual)/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente de Referência do Espelho de Corrente BJT

Vai Corrente de referência = (Tensão de alimentação-Tensão Base-Emissor)/Resistência

Corrente de Referência do Espelho BJT dada a Corrente do Coletor

Vai Corrente de referência = Coletor atual*(1+2/Ganho de Corrente do Emissor Comum)

Corrente de base do transistor PNP dada a corrente do emissor

Vai Corrente base = corrente do emissor/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)

Corrente de base do transistor PNP usando ganho de corrente de base comum

Vai Corrente base = (1-Ganho de corrente de base comum)*corrente do emissor

Corrente de Base do Transistor PNP usando Corrente de Coletor

Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente Base 1 do BJT

Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente base total

Vai Corrente base = Corrente base 1+Corrente base 2

Corrente de saturação usando concentração de dopagem Fórmula

Qual é a corrente de saturação no transistor?

O transistor será polarizado de modo que a quantidade máxima de corrente de base seja aplicada, resultando em corrente de coletor máxima, resultando na queda de tensão coletor-emissor mínima que resulta na camada de depleção sendo tão pequena quanto possível e a corrente máxima fluindo através do transistor. Portanto, o transistor é comutado “Fully-ON”. Então podemos definir a “região de saturação” ou “modo ON” ao usar um transistor bipolar como uma chave como sendo, ambas as junções com polarização direta, VB> 0,7v e IC = Máximo. Para um transistor PNP, o potencial do Emissor deve ser positivo em relação à Base.

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