Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos Calculadora

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Características do semicondutor

Características do Diodo

Características do portador de carga

Parâmetros Eletrostáticos

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖A energia da banda de condução é a banda de energia em um material onde os elétrons são livres para se mover e participar da condução elétrica.ⓘ Energia da Banda de Condução [E_c]			+10% -10%
✖Valance Band Energy é uma das bandas de energia que os elétrons podem ocupar dentro da estrutura eletrônica de um material.ⓘ Energia da banda de valência [E_v]			+10% -10%

✖Fermi Level Intrinsic Semiconductor refere-se ao nível de energia dentro do intervalo de banda do material que tem um significado especial no contexto do comportamento eletrônico.ⓘ Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos [E_Fi]

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Fórmula

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Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

Fórmula

`"E"_{"Fi"} = ("E"_{"c"}+"E"_{"v"})/2`

Exemplo

`"2.63eV"=("0.56eV"+"4.7eV")/2`

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Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Fermi Nível Intrínseco Semicondutor - (Medido em Joule) - Fermi Level Intrinsic Semiconductor refere-se ao nível de energia dentro do intervalo de banda do material que tem um significado especial no contexto do comportamento eletrônico.
Energia da Banda de Condução - (Medido em Joule) - A energia da banda de condução é a banda de energia em um material onde os elétrons são livres para se mover e participar da condução elétrica.
Energia da banda de valência - (Medido em Joule) - Valance Band Energy é uma das bandas de energia que os elétrons podem ocupar dentro da estrutura eletrônica de um material.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Energia da Banda de Condução: 0.56 Electron-Volt --> 8.97219304800004E-20 Joule (Verifique a conversão aqui)
Energia da banda de valência: 4.7 Electron-Volt --> 7.53023345100003E-19 Joule (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

E_Fi = (E_c+E_v)/2 --> (8.97219304800004E-20+7.53023345100003E-19)/2

Avaliando ... ...

E_Fi = 4.21372637790002E-19

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

4.21372637790002E-19 Joule -->2.63 Electron-Volt (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

2.63 Electron-Volt <-- Fermi Nível Intrínseco Semicondutor

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

Equipe Softusvista criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Himanshi Sharma

Instituto de Tecnologia Bhilai (MORDEU), Raipur

Himanshi Sharma verificou esta calculadora e mais 800+ calculadoras!

< 13 Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores

Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)

Função de Distribuição de Fermi Dirac

Vai Função de Distribuição de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nível Fermi de Energia-Nível Fermi de Energia)/([BoltZ]*Temperatura)))

Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron

Comprimento de difusão de elétrons

Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)

Gap de banda de energia

Vai Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)

Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2

Densidade de corrente de deriva

Vai Densidade de corrente de deriva = Densidade atual dos furos+Densidade de Corrente Eletrônica

Mobilidade de Portadores de Carga

Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico

Tensão de saturação usando tensão limite

Vai Tensão de saturação = Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar

Campo elétrico devido à tensão Hall

Vai Campo Elétrico Hall = Tensão Hall/Largura do Condutor

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos Fórmula

Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2
E_Fi = (E_c+E_v)/2

Como a temperatura afeta o band gap?

A energia band-gap dos semicondutores tende a diminuir com o aumento da temperatura. Quando a temperatura aumenta, a amplitude das vibrações atômicas aumenta, levando a um maior espaçamento interatômico.

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