Efeito Corporal na Transcondutância Calculadora

✖A mudança no limite para a tensão de base define a taxa na qual a tensão de limite muda em relação à tensão de base.ⓘ Alteração no limite para a tensão de base [Χ]			+10% -10%
✖A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.ⓘ Transcondutância [g_m]			+10% -10%

✖A transcondutância do corpo refere-se à medida de quanto a corrente de saída de um dispositivo muda em resposta a uma mudança na tensão de entrada. .ⓘ Efeito Corporal na Transcondutância [g_mb]

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Fórmula

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Efeito Corporal na Transcondutância

Fórmula

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

Exemplo

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

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Efeito Corporal na Transcondutância Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância
g_mb = Χ*g_m
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Transcondutância Corporal - (Medido em Siemens) - A transcondutância do corpo refere-se à medida de quanto a corrente de saída de um dispositivo muda em resposta a uma mudança na tensão de entrada. .
Alteração no limite para a tensão de base - A mudança no limite para a tensão de base define a taxa na qual a tensão de limite muda em relação à tensão de base.
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Alteração no limite para a tensão de base: 0.2 --> Nenhuma conversão necessária
Transcondutância: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

Avaliando ... ...

g_mb = 0.0001

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0001 Siemens -->0.1 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.1 Millisiemens <-- Transcondutância Corporal

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 16 Transcondutância Calculadoras

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar))

Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Transcondutância dada a corrente de drenagem

Vai Transcondutância = sqrt(2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Corrente de dreno devido à transcondutância e transcondutância do processo

Vai Corrente de drenagem = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Parâmetro de Transcondutância do Processo)

Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem)

Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância do MOSFET dado o parâmetro de transcondutância

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Parâmetro de Transcondutância MOSFET usando Transcondutância de Processo

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Transcondutância da porta traseira

Vai Transcondutância da porta traseira = Transcondutância*Eficiência de Tensão

Parâmetro de Transcondutância do Processo do MOSFET

Vai Parâmetro de Transcondutância = Transcondutância/Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET dada a tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET

Vai Transcondutância = Alteração na corrente de drenagem/Tensão Gate-Fonte

Drenar corrente usando transcondutância

Vai Corrente de drenagem = (Tensão de ultrapassagem)*Transcondutância/2

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

< 15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão usando sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Tensão de polarização do MOSFET

Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Condutância na Resistência Linear do MOSFET

Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Efeito Corporal na Transcondutância Fórmula

Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância
g_mb = Χ*g_m

O que é ganho de tensão?

A diferença entre o nível de tensão do sinal de saída em decibéis e o nível de tensão do sinal de entrada em decibéis; este valor é igual a 20 vezes o logaritmo comum da razão entre a tensão de saída e a tensão de entrada.

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