Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
IB = (Isat/β)*e^(VBE/Vt)
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные
Используемые константы
e - De constante van Napier Значение, принятое как 2.71828182845904523536028747135266249
Используемые переменные
Базовый ток - (Измеряется в Ампер) - Базовый ток - это критический ток биполярного переходного транзистора. Без тока базы транзистор не может открыться.
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Коэффициент усиления по току с общим эмиттером - Коэффициент усиления по току с общим эмиттером зависит от двух факторов: ширины базовой области W и относительного легирования базовой и эмиттерной областей. Его диапазон варьируется от 50 до 200.
Напряжение база-эмиттер - (Измеряется в вольт) - Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.
Тепловое напряжение - (Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Ток насыщения: 1.675 Миллиампер --> 0.001675 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Коэффициент усиления по току с общим эмиттером: 65 --> Конверсия не требуется
Напряжение база-эмиттер: 5.15 вольт --> 5.15 вольт Конверсия не требуется
Тепловое напряжение: 4.7 вольт --> 4.7 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
IB = (Isat/β)*e^(VBE/Vt) --> (0.001675/65)*e^(5.15/4.7)
Оценка ... ...
IB = 7.70863217186262E-05
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
7.70863217186262E-05 Ампер -->0.0770863217186262 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.0770863217186262 0.077086 Миллиампер <-- Базовый ток
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

14 Базовый ток Калькуляторы

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе
Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)+Давление пара насыщения*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)
Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси
Идти Ток насыщения = (Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(Концентрация внутреннего носителя)^2)/(Ширина базового соединения*Легирующая концентрация основания)
Коэффициент усиления по току короткого замыкания BJT
Идти Коэффициент усиления по току короткого замыкания = (Коэффициент усиления по току с общим эмиттером на низкой частоте)/(1+Комплексная частотная переменная*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)*Входное сопротивление)
Ток стока с заданным параметром устройства
Идти Ток стока = 1/2*крутизна*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение-Пороговое напряжение)^2*(1+Параметр устройства*Напряжение между стоком и истоком)
Базовый ток 2 BJT
Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*(e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение))
Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения
Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Справочный ток зеркала BJT
Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Опорный ток BJT Current Mirror
Идти Опорный ток = (Напряжение питания-Напряжение база-эмиттер)/Сопротивление
Опорный ток зеркала BJT при заданном токе коллектора
Идти Опорный ток = Коллекторный ток*(1+2/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)
Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора
Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера
Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Базовый ток 1 BJT
Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой
Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера
Общий базовый ток
Идти Базовый ток = Базовый ток 1+Базовый ток 2

20 Схема БЮТ Калькуляторы

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения
Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Частота перехода BJT
Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))
Суммарная мощность, рассеиваемая в BJT
Идти Власть = Напряжение коллектор-эмиттер*Коллекторный ток+Напряжение база-эмиттер*Базовый ток
Коэффициент подавления синфазного сигнала
Идти Коэффициент подавления синфазного сигнала = 20*log10(Усиление дифференциального режима/Усиление синфазного сигнала)
Коэффициент усиления по току с общей базой
Идти Коэффициент усиления по току с общей базой = Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Пропускная способность Unity-Gain BJT
Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)
Справочный ток зеркала BJT
Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Выходное сопротивление BJT
Идти Сопротивление = (Напряжение питания+Напряжение коллектор-эмиттер)/Коллекторный ток
Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда
Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
Выходное напряжение усилителя BJT
Идти Выходное напряжение = Напряжение питания-Ток стока*Сопротивление нагрузки
Общая потребляемая мощность в BJT
Идти Власть = Напряжение питания*(Коллекторный ток+Входной ток)
Напряжение между коллектором и эмиттером при насыщении
Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение база-эмиттер-Напряжение база-коллектор
Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора
Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера
Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Ток коллектора с использованием тока эмиттера
Идти Коллекторный ток = Коэффициент усиления по току с общей базой*Ток эмиттера
Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой
Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера
Внутреннее усиление BJT
Идти Внутреннее усиление = Раннее напряжение/Тепловое напряжение
Ток коллектора BJT
Идти Коллекторный ток = Ток эмиттера-Базовый ток
Ток эмиттера BJT
Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток
Крутизна короткого замыкания
Идти крутизна = Выходной ток/Входное напряжение

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения формула

Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
IB = (Isat/β)*e^(VBE/Vt)

Какие составляющие базового тока?

Базовый ток возникает из-за дырок, вводимых из базовой области в область эмиттера. Эта составляющая тока пропорциональна e ^ V

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!