Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Калькулятор

✖Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.ⓘ Мобильность электрона [μ_e]			+10% -10%
✖Оксидная емкость — это емкость плоского конденсатора на единицу площади затвора.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Ширина канала — это размер канала MOSFET.ⓘ Ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.ⓘ Длина канала [L]			+10% -10%
✖Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [V_ox]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [V_t]			+10% -10%
✖Напряжение насыщения между стоком и истоком транзистора — это напряжение на коллекторе и эмиттере, необходимое для насыщения.ⓘ Напряжение насыщения между стоком и истоком [V_ds]			+10% -10%

✖Выходной ток — это ток, который усилитель потребляет от источника сигнала.ⓘ Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида [i_o]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Формула

`"i"_{"o"} = ("μ"_{"e"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"}))*"V"_{"ds"}`

Пример

`"14.63474mA"=("0.012m²/V*s"*"0.001F/m²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("3.775V"-"2V"))*"220V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики транзисторного усилителя Формулы PDF

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
В этой формуле используются 8 Переменные

Используемые переменные

Выходной ток - (Измеряется в Ампер) - Выходной ток — это ток, который усилитель потребляет от источника сигнала.
Мобильность электрона - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.
Оксидная емкость - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Оксидная емкость — это емкость плоского конденсатора на единицу площади затвора.
Ширина канала - (Измеряется в метр) - Ширина канала — это размер канала MOSFET.
Длина канала - (Измеряется в метр) - Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.
Напряжение на оксиде - (Измеряется в вольт) - Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Напряжение насыщения между стоком и истоком - (Измеряется в вольт) - Напряжение насыщения между стоком и истоком транзистора — это напряжение на коллекторе и эмиттере, необходимое для насыщения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Мобильность электрона: 0.012 Квадратный метр на вольт в секунду --> 0.012 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 0.001 Фарада на квадратный метр --> 0.001 Фарада на квадратный метр Конверсия не требуется
Ширина канала: 10.15 микрометр --> 1.015E-05 метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина канала: 3.25 микрометр --> 3.25E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение на оксиде: 3.775 вольт --> 3.775 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Напряжение насыщения между стоком и истоком: 220 вольт --> 220 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

Оценка ... ...

i_o = 0.0146347384615385

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0146347384615385 Ампер -->14.6347384615385 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

14.6347384615385 ≈ 14.63474 Миллиампер <-- Выходной ток

(Расчет завершен через 00.013 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Транзисторные усилители » Характеристики транзисторного усилителя » Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 18 Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком

Заданное входное напряжение Сигнальное напряжение

Идти Основное напряжение компонента = (Конечное входное сопротивление/(Конечное входное сопротивление+Сигнальное сопротивление))*Малое напряжение сигнала

Общее эффективное напряжение крутизны МОП-транзистора

Идти Эффективное напряжение = sqrt(2*Ток стока насыщения/(Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)))

Параметр крутизны МОП-транзистора

Идти Параметр крутизны = Ток стока/((Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком)

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Идти Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2

Ток стока транзистора

Идти Ток стока = (Основное напряжение компонента+Общее мгновенное напряжение стока)/Сопротивление дренажу

Общее мгновенное напряжение стока

Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока

Входное напряжение транзистора

Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

Крутизна транзисторных усилителей

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)

Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале

Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение

Выходное сопротивление цепи общего затвора с заданным тестовым напряжением

Идти Конечное выходное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Входное сопротивление усилителя с общим коллектором

Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток

Входное сопротивление схемы с общим затвором

Идти Входное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Испытательный ток транзисторного усилителя

Идти Тестовый ток = Испытательное напряжение/Входное сопротивление

Коэффициент усиления постоянного тока усилителя

Идти Усиление постоянного тока = Коллекторный ток/Базовый ток

Вход усилителя транзисторного усилителя

Идти Вход усилителя = Входное сопротивление*Входной ток

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида формула

Объясните работу транзистора NMOS.

Транзистор NMOS с напряжением на источнике газа> порогового напряжения и с небольшим напряжением между стоком и истоком. Устройство действует как сопротивление, величина которого определяется напряжением на источнике газа. В частности, проводимость канала пропорциональна напряжению на источнике газа - пороговому напряжению, и, таким образом, Id пропорционально (напряжение на источнике газа - пороговое напряжение) напряжению между стоком и истоком.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!