Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov Калькулятор

✖Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса в PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источникомⓘ Соотношение сторон [WL]			+10% -10%
✖Эффективное напряжение — это эквивалентное постоянное напряжение, при котором рассеиваемая мощность на резистивной нагрузке будет такой же, как и при измеряемом переменном напряжении.ⓘ Эффективное напряжение [V_ov]			+10% -10%

✖Ток стока насыщения ниже порогового напряжения определяется как субпороговый ток и экспоненциально зависит от напряжения затвор-исток.ⓘ Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov [I_ds]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

Формула

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"ov"})^2`

Пример

`"29.39328mA"=1/2*"2.1mS"*"6"*("2.16V")^2`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Ток стока насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток стока насыщения ниже порогового напряжения определяется как субпороговый ток и экспоненциально зависит от напряжения затвор-исток.
Параметр крутизны процесса в PMOS - (Измеряется в Сименс) - Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Соотношение сторон - Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником
Эффективное напряжение - (Измеряется в вольт) - Эффективное напряжение — это эквивалентное постоянное напряжение, при котором рассеиваемая мощность на резистивной нагрузке будет такой же, как и при измеряемом переменном напряжении.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны процесса в PMOS: 2.1 Миллисименс --> 0.0021 Сименс (Проверьте преобразование здесь)
Соотношение сторон: 6 --> Конверсия не требуется
Эффективное напряжение: 2.16 вольт --> 2.16 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2 --> 1/2*0.0021*6*(2.16)^2

Оценка ... ...

I_ds = 0.02939328

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.02939328 Ампер -->29.39328 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

29.39328 Миллиампер <-- Ток стока насыщения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 14 Улучшение P-канала Калькуляторы

Общий ток стока транзистора PMOS

Идти Ток стока = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Эффект тела в ПМОС

Идти Изменение порогового напряжения = Пороговое напряжение+Параметр процесса изготовления*(sqrt(2*Физический параметр+Напряжение между телом и источником)-sqrt(2*Физический параметр))

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока от источника к стоку

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале)

Заряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение-Напряжение между стоком и истоком)

Параметр Backgate Effect в PMOS

Идти Параметр эффекта Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Концентрация доноров)/Оксид Емкость

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Заряд инверсионного слоя в PMOS

Идти Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)

Повышенное напряжение PMOS

Идти Эффективное напряжение = Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение)

Ток в инверсионном канале PMOS с учетом подвижности

Идти Скорость дрейфа инверсии = Подвижность отверстий в канале*Горизонтальная составляющая электрического поля в канале

Ток в инверсионном канале PMOS

Идти Ток стока = (Ширина соединения*Заряд инверсионного слоя*Скорость дрейфа инверсии)

Параметр крутизны процесса PMOS

Идти Параметр крутизны процесса в PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov формула

Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_ov)^2

Что такое ток стока в MOSFET?

Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговый ток и изменяется экспоненциально с Vgs. Величина, обратная крутизне логарифмической характеристики (Ids) по сравнению с Vgs, определяется как подпороговая крутизна, S, и является одним из наиболее важных показателей производительности полевых МОП-транзисторов в логических приложениях.

В каком направлении течет ток в PMOS?

В NMOS электроны являются носителями заряда. Таким образом, электроны перемещаются от источника к стоку (то есть ток идет от стока> источника). В PMOS дырки являются носителями заряда1. Таким образом, дыры перемещаются от Источника к Источнику.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!