Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей Калькулятор

✖Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер равна ширине в направлении, перпендикулярном странице.ⓘ Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер [A_E]			+10% -10%
✖Электронная диффузия — это диффузионный ток — это ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).ⓘ Электронная диффузия [D_n]			+10% -10%
✖Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.ⓘ Тепловая равновесная концентрация [n_po]			+10% -10%
✖Ширина базового перехода — это параметр, указывающий ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.ⓘ Ширина базового соединения [W_base]			+10% -10%

✖Ток эмиттера — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.ⓘ Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей [I_e]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей

Формула

`"I"_{"e"} = "A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*(-"n"_{"po"}/"W"_{"base"})`

Пример

`"-0.005127mA"="8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*(-"1e18/m³"/"0.002m")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF

Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)
I_e = A_E*[Charge-e]*D_n*(-n_po/W_base)
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Ток эмиттера - (Измеряется в Ампер) - Ток эмиттера — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер равна ширине в направлении, перпендикулярном странице.
Электронная диффузия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Электронная диффузия — это диффузионный ток — это ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.
Ширина базового соединения - (Измеряется в метр) - Ширина базового перехода — это параметр, указывающий ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер: 8 Площадь Сантиметр --> 0.0008 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Электронная диффузия: 0.8 Квадратный сантиметр в секунду --> 8E-05 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Тепловая равновесная концентрация: 1E+18 1 на кубический метр --> 1E+18 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Ширина базового соединения: 0.002 метр --> 0.002 метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_e = A_E*[Charge-e]*D_n*(-n_po/W_base) --> 0.0008*[Charge-e]*8E-05*(-1E+18/0.002)

Оценка ... ...

I_e = -5.126965184E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

-5.126965184E-06 Ампер -->-0.005126965184 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

-0.005126965184 ≈ -0.005127 Миллиампер <-- Ток эмиттера

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Текущий » Ток эмиттера » Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 8 Ток эмиттера Калькуляторы

Ток эмиттера с использованием коэффициента усиления по току общего эмиттера

Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Ток насыщения*e^( Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей

Идти Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)

Ток эмиттера при заданном токе насыщения

Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(-Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера с использованием постоянной транзистора

Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера с использованием тока коллектора и коэффициента усиления по току

Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Коллекторный ток

Ток эмиттера BJT

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток

Ток эмиттера при заданном токе коллектора

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток/Ток стока

Ток эмиттера при заданном базовом токе

Идти Ток эмиттера = (Ток стока+1)*Базовый ток