Ток эмиттера при заданном токе насыщения Калькулятор

✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [I_sat]			+10% -10%
✖Коэффициент усиления по току с общей базой α связан с коэффициентом усиления по току β с общим эмиттером, и его значение меньше 1, поскольку ток коллектора всегда меньше тока эмиттера из-за рекомбинации электронов.ⓘ Коэффициент усиления по току с общей базой [α]			+10% -10%
✖Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.ⓘ Напряжение база-эмиттер [V_BE]			+10% -10%
✖Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.ⓘ Тепловое напряжение [V_t]			+10% -10%

✖Ток эмиттера — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.ⓘ Ток эмиттера при заданном токе насыщения [I_e]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток эмиттера при заданном токе насыщения

Формула

`"I"_{"e"} = ("I"_{"sat"}/"α")*e^(-"V"_{"BE"}/"V"_{"t"})`

Пример

`"0.568464mA"=("1.675mA"/"0.985")*e^(-"5.15V"/"4.7V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF

Ток эмиттера при заданном токе насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(-Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
I_e = (I_sat/α)*e^(-V_BE/V_t)
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные

Используемые константы

e - постоянная Нейпира Значение, принятое как 2.71828182845904523536028747135266249

Используемые переменные

Ток эмиттера - (Измеряется в Ампер) - Ток эмиттера — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Коэффициент усиления по току с общей базой - Коэффициент усиления по току с общей базой α связан с коэффициентом усиления по току β с общим эмиттером, и его значение меньше 1, поскольку ток коллектора всегда меньше тока эмиттера из-за рекомбинации электронов.
Напряжение база-эмиттер - (Измеряется в вольт) - Напряжение база-эмиттер — это прямое напряжение между базой и эмиттером транзистора.
Тепловое напряжение - (Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, возникающее внутри p-n-перехода.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Ток насыщения: 1.675 Миллиампер --> 0.001675 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Коэффициент усиления по току с общей базой: 0.985 --> Конверсия не требуется
Напряжение база-эмиттер: 5.15 вольт --> 5.15 вольт Конверсия не требуется
Тепловое напряжение: 4.7 вольт --> 4.7 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_e = (I_sat/α)*e^(-V_BE/V_t) --> (0.001675/0.985)*e^(-5.15/4.7)

Оценка ... ...

I_e = 0.000568463667204731

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.000568463667204731 Ампер -->0.568463667204731 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.568463667204731 ≈ 0.568464 Миллиампер <-- Ток эмиттера

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Текущий » Ток эмиттера » Ток эмиттера при заданном токе насыщения

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 8 Ток эмиттера Калькуляторы

Ток эмиттера с использованием коэффициента усиления по току общего эмиттера

Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Ток насыщения*e^( Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей

Идти Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)

Ток эмиттера при заданном токе насыщения

Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(-Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера с использованием постоянной транзистора

Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера с использованием тока коллектора и коэффициента усиления по току

Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Коллекторный ток

Ток эмиттера BJT

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток

Ток эмиттера при заданном токе коллектора

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток/Ток стока

Ток эмиттера при заданном базовом токе

Идти Ток эмиттера = (Ток стока+1)*Базовый ток

Ток эмиттера при заданном токе насыщения формула

Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(-Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
I_e = (I_sat/α)*e^(-V_BE/V_t)

Почему ток коллектора меньше тока эмиттера?

Если переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении, напряжение на устройстве заставляет электроны от эмиттера течь к коллектору. При этом электроны проходят через слаболегированную базовую область P-типа, и некоторые электроны рекомбинируют с дырками. Следовательно, ток коллектора меньше, чем ток эмиттера.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!