Концентрация основных носителей в полупроводнике Калькулятор

✖Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Концентрация внутреннего носителя [n_i]			+10% -10%
✖Концентрация миноритарных носителей — это количество носителей в валентной зоне без внешнего смещения.ⓘ Концентрация миноритарных перевозчиков [p₀]			+10% -10%

✖Концентрация основных носителей — это количество носителей в зоне проводимости без внешнего смещения.ⓘ Концентрация основных носителей в полупроводнике [n₀]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Концентрация основных носителей в полупроводнике

Формула

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Пример

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Полупроводниковые характеристики Формулы PDF

Концентрация основных носителей в полупроводнике Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
n₀ = n_i^2/p₀
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Концентрация большинства носителей - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация основных носителей — это количество носителей в зоне проводимости без внешнего смещения.
Концентрация внутреннего носителя - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Концентрация миноритарных перевозчиков - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация миноритарных носителей — это количество носителей в валентной зоне без внешнего смещения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация внутреннего носителя: 120000000 1 на кубический метр --> 120000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Концентрация миноритарных перевозчиков: 91000000 1 на кубический метр --> 91000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Оценка ... ...

n₀ = 158241758.241758

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

158241758.241758 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 на кубический метр <-- Концентрация большинства носителей

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » EDC » Полупроводниковые характеристики » Концентрация основных носителей в полупроводнике

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках

Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)

Функция распределения Ферми Дирака

Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))

Запрещенная энергетическая зона

Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий

Проводимость внешних полупроводников для N-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона

Длина диффузии электронов

Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)

Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа

Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков

Концентрация основных носителей в полупроводнике

Уровень Ферми собственных полупроводников

Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2

Подвижность носителей заряда

Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока

Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока

Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения

Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение

Электрическое поле из-за напряжения Холла

Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Концентрация основных носителей в полупроводнике формула

Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
n₀ = n_i^2/p₀

Что такое закон действующих масс?

В полупроводнике, находящемся в тепловом равновесии (при постоянной температуре), произведение дырок и электронов всегда постоянно и равно квадрату собственного полупроводника.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!